Transistor atual alto de A92 NPN, transistor do silicone do poder superior NPN
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:A92
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A92 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Baixa tenso de saturaço do Coletor-emissor
Alta tenso da diviso
Marcaço: A92
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -310 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -305 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -5 | V |
| MIMC | Corrente de coletor contínua | -200 | miliampère |
| ICM | Corrente de coletor - pulsada | -500 | miliampère |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 500 | mW |
| RθJA | Resistência térmica da junço a ambiental | 250 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC=-100ΜA, ISTO É =0 | -310 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=-1mA, IB=0 | -305 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=-200V, ISTO É =0 | -0,25 | µA | ||
ICEO | VCE=-200V, IB=0 | -0,25 | µA | |||
| VCE=-300V, IB=0 | -5 | µA | ||||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=-5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=-10V, IC=-1mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-80mA | 60 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=-20mA, IB=-2mA | -0,2 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | MimC=-20mA, IB=-2mA | -0,9 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Megahertz |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 REFERÊNCIA. | 0,061 REFERÊNCIAS. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPOS. | ||
| e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPOS. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposiço sugerida SOT-89-3L da almofada
Fita e carretel de SOT-89-3L
Transistor atual alto de A92 NPN, transistor do silicone do poder superior NPN
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