Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBTA55 (NPN)
CARACTERÍSTICA
l transistor de motorista
Marcaço: 2H
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -60 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -60 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -4 | V |
| IC | Corrente de coletor | -500 | miliampère |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 225 | mW |
| RΘJA | Resistência térmica da junço a ambiental | 556 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | IC=-100ΜA, IE=0 | -60 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | IC=-1mA, IB=0 | -60 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | IE=-100ΜA, IC=0 | -4 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=-60V, IE=0 | -0,1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE=-60V, IB=0 | -0,1 | µA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-1V, IC=-100mA | 100 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | IC=-100mA, IB=-10mA | -0,25 | V | ||
| Tenso do emissor de base | VBE | VCE=-1V, IC=-100mA | -1,2 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz | 50 | Megahertz |
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERÊNCIAS | 0,022 REFERÊNCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN
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