Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:MMBT4403
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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Detalhes do produto

SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBT4403 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 Transistor de interruptor

Marcaço: 2T

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
 

SímboloParmetroValorUnidade
VCBOTenso da Coletor-base-40V
VCEOTenso do Coletor-emissor-40V
VEBOTenso da Emissor-base-5V
ICCorrente de coletor-600miliampère
PCDissipaço de poder do coletor300mW
RΘJAResistência térmica da junço a ambiental417℃/W
TjTemperatura de junço150
TstgTemperatura de armazenamento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)

 

ParmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tenso de diviso da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=-100μA, ISTO É =0-40  V
tenso de diviso do Coletor-emissor(BR) CEO VMimC=-1mA, IB=0-40  V
tenso de diviso da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É =-100ΜA, IC=0-5  V
Corrente de interrupço de coletorICBOVCB=-35V, ISTO É =0  -0,1μA
Corrente de interrupço de coletorICEXVCE=-35V, VBE=0.4V  -0,1μA
Corrente da interrupço do emissorIEBOVEB=-4V, IC=0  -0,1μA

 

 

 

Ganho atual de C.C.

hFE1VCE=-1V, IC=-0.1mA30   
 hFE2VCE=-1V, IC=-1mA60   
 hFE3VCE=-1V, IC=-10mA100   
 hFE4VCE=-2V, IC=-150mA100 300 
 hFE5VCE=-2V, IC=-500mA20   

 

tenso de saturaço do Coletor-emissor

 

VCE (sentado)

MimC=-150mA, IB=-15mA  -0,4V
  MimC=-500mA, IB=-50mA  -0,75V

 

Tenso de saturaço do emissor de base

 

VBE (sentado)

MimC=-150mA, IB=-15mA  -0,95V
  MimC=-500mA, IB=-50mA  -1,3V
Frequência da transiçofTVCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz200  Megahertz
Tempo de atrasotd

VCC=-30V, VBE (fora) =-0.5V

IC=-150mA, IB1=-15mA

  15ns
Tempo de elevaçotr   20ns
Tempo de armazenamentots

VCC=-30V, IC=-150mA

IB1=IB2=-15mA

  225ns
Tempo de quedatf   60ns

 
 
 
 
 
Characterisitics típico  
 


 

 

 

 

 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERÊNCIAS0,022 REFERÊNCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
 
 
 
 

China Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN  supplier

Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

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