Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:FMMT491
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes: No 14 Horas
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Detalhes do produto

SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor FMMT491 (NPN)
 
 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa em-resistência equivalente

 

Marcaço: 491

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
 

SímboloParmetroValorUnidade
VCBOTenso da Coletor-base80V
VCEOTenso do Coletor-emissor60V
VEBOTenso da Emissor-base5V
ICCorrente de coletor1A
ICMCorrente máxima do pulso2A
PCDissipaço de poder do coletor250mW
RΘJAResistência térmica da junço a ambiental500℃/W
TjTemperatura de junço150
TstgTemperatura de armazenamento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
 

ParmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tenso de diviso da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=100μA, ISTO É =080  V
tenso de diviso do Coletor-emissor(BR) CEO V1MimC=10mA, IB=060  V
tenso de diviso da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É =100ΜA, IC=05  V
Corrente de interrupço de coletorICBOVCB=60V, ISTO É =0  0,1μA
Corrente da interrupço do emissorIEBOVEB=4V, IC=0  0,1μA

 
 
 

Ganho atual de C.C.

hFE (1)VCE=5V, IC=1mA100   
 hFE (2) 1VCE=5V, IC=500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=5V, IC=1A80   
 hFE (4) 1VCE=5V, IC=2A30   

 

tenso de saturaço do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 1MimC=500mA, IB=50mA  0,25V
 VCE (sentado) 2 1MimC=1A, IB=100mA  0,5V
Tenso de saturaço do emissor de baseVBE (sentado) 1MimC=1A, IB=100mA  1,1V
Tenso do emissor de base

1

VBE

VCE=5V, IC=1A  1V
Frequência da transiçofTVCE=10V, IC=50mA, f=100MHz150  Megahertz
Capacidade de saída do coletorEspigaVCB=10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Medido sob circunstncias pulsadas, pulso width=300μs, dever cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics típico  
 
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERÊNCIAS0,022 REFERÊNCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 



 
 
 
 































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Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência

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