Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:HXY4266
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
60V N-canal AlphaSGT HXY4266
Sumário do produto
| VDS | 60V |
| Identificaço (em VGS=10V) | 11A |
| RDS (SOBRE) (em VGS=10V) | < 13.5mΩ |
| RDS (SOBRE) (em VGS=4.5V) | < 18mΩ |
Descriço geral
• Baixo RDS (SOBRE)
• Movimentaço nivelada da porta da lógica
• Produto excelente da carga x RDS da porta (SOBRE) (FOM)
• RoHS e complacente Halogênio-livre
Aplicações
• Interruptor de alta frequência e correço síncrono
Características elétricas (T =25°C salvo disposiço em contrário)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicaço dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipaço de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junço--ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliaço repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junço TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilizaço para manter-se
initialT =25°C.
D. OθJAde R é a soma da impedncia térmica da junço para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 so obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.
F. Estas curvas so baseadas na impedncia térmica junço--ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com
2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junço máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliaço do pulso.
G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junço TJ (max) =125°C.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v
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