Carga da porta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para a aplicação de comutação

Sumário do produto

Descriço geral

A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4404 a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operaço

com as tensões da porta to baixas quanto 2.5V. Este dispositivo faz

interruptor lateral alto excelente para o núcleo DC-DC do processador central do caderno

converso.

Aplicações

Fonte de alimentaço da eficiência elevada

Retificador secundário do synchronus

Características elétricas (T =25°C salvo disposiço em contrário)

A. O valor do_θJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o T_A =25°C.

o valor em toda a aplicaço dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. A dissipaço de poder P_D é baseada em T_J(max) =150°C, usando a resistência térmica junço--ambiental do ≤ 10s.

C. a avaliaço repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junço T_J(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilizaço para manter-se

initialT =25°C.

D. _OθJAde R é a soma da impedncia térmica da junço para conduzir o_θJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 so obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.

F. Estas curvas so baseadas na impedncia térmica junço--ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com

2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junço máxima de T_J(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliaço do pulso.

G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junço TJ (max) =125°C.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS