Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:TIP32/32A/32B/32C
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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TO-220-3L Plástico-encapsulam transistor
TIP32/32A/32B/32C
CARACTERÍSTICA
Aplicações lineares do interruptor do poder médio
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | TIP31 | TIP31A | TIP31B | TIP31C | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 40 | 60 | 80 | 100 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 40 | 60 | 80 | 100 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 5 | V | |||
| MIMC | Corrente de coletor | 3 | A | |||
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 2 | W | |||
| RθJA | Resistência térmica da junço a ambiental | 62,5 | ||||
| Tj | Temperatura de junço | 150 | ℃ | |||
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ | |||
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta =25℃ a menos que outros sábios especificados)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Machado de M | Unidade | |
| tenso de diviso da Coletor-base | TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C |
V (BR) CBO |
MimC= 1mA, ISTO É =0 | 40 60 80 100 |
V | |
| tenso de diviso do Coletor-emissor * | TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C |
VCEO (sus) |
MimC= 30mA, IB=0 | 40 60 80 100 |
V | |
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 1mA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C |
ICBO | VCB=40V, ISTO É =0 VCB=60V, ISTO É =0 VCB=80V, ISTO É =0 VCB=100V, ISTO É =0 |
200 |
μA | |
| Corrente de interrupço de coletor TIP31/31A TIP31B/31C | ICEO | VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0 |
0,3 |
miliampère | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 1 | miliampère | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE= 4V, IC= 1A | 25 | |||
| hFE (2) | VCE=4 V, mimC= 3A | 15 | 75 | |||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC=3A, IB=0.375A | 1,2 | V | ||
| Tenso do emissor de base | VBE (sobre) | VCE= 4V, IC=3A | 1,8 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE=10V, IC=0.5A | 3 | Megahertz | ||
* teste do pulso: PW≤300µs, dever Cycle≤2%.
Características típicas TIP31/31A/31B/31C
Dimensões do esboço do pacote TO-126
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
| A1 | 2,520 | 2,820 | 0,099 | 0,111 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| E1 | 12,060 | 12,460 | 0,475 | 0,491 |
| e | 2,540 TIPO | 0,100 TIPOS | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| F | 2,590 | 2,890 | 0,102 | 0,114 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 13,400 | 13,800 | 0,528 | 0,543 |
| L1 | 3,560 | 3,960 | 0,140 | 0,156 |
| Φ | 3,735 | 3,935 | 0,147 | 0,155 |
Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C
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