Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de TIP41/41A/41B/41C NPN

Lugar de origem:Shenzhen China

Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes

Detalhes de empacotamento:Encaixotado

Tempo de entrega:1 - 2 semanas

Termos do pagamento:L/C T/T Western Union

Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Dos Estados-activa

Shenzhen Guangdong China

Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong

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TO-220-3L Plástico-encapsulam transistor

TRANSISTOR DE TIP41/41A/41B/41C (NPN)

CARACTERÍSTICA

Aplicações lineares do interruptor do poder médio

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposiço em contrário)

Símbolo	Parmetro	TIP41	TIP41A	TIP41B	TIP41C	Unidade
VCBO	Tenso da Coletor-base	40	60	80	100	V
VCEO	Tenso do Coletor-emissor	40	60	80	100	V
VEBO	Tenso da Emissor-base	5				V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	6				A
P_C	Dissipaço de poder do coletor	2				W
T_J	Temperatura de junço	150				℃
Tstg	Variaço da temperatura do armazenamento	-55~+150				℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)

Parmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Máximo	Unidade
tenso de diviso TIP41 da Coletor-base TIP4 1A TIP41B TIP41C	V (BR) CBO	Mim_C= 1mA, ISTO É =0	40 60 80 100		V
tenso de diviso TIP41 do Coletor-emissor TIP41A TIP41B TIP41C	VCEO (sus)	Mim_C= 30mA, I_B=0	40 60 80 100		V
tenso de diviso da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 1mA, I_C=0	5		V
Corrente de interrupço de coletor TIP41 TIP4 1A TIP41B TIP41C	ICBO	V_CB=40V, ISTO É =0 V_CB=60V, ISTO É =0 V_CB=80V, ISTO É =0 V_CB=100V, ISTO É =0	0,4		miliampère
Corrente de interrupço de coletor TIP41/41A TIP41B/41C	ICEO	V_CE= 30V, I_B= 0 V_CE= 60V, I_B= 0	0,7		miliampère
Corrente da interrupço do emissor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0		1	miliampère
Ganho atual de C.C.	hFE (1)	V_CE= 4V, I_C= 0.3A	30
	hFE (2)	V_CE=4 V, mim_C= 3A	15	75
tenso de saturaço do Coletor-emissor	VCE (sentado)	MIM_C=6A, I_B=0.6A		1,5	V
Tenso do emissor de base	VBE (sobre)	V_CE= 4V, I_C=6A		2	V
Frequência da transiço	f_T	V_CE=10V, I_C=0.5A f =1MHz	3		MH_Z