Transistor de efeito de campo TIP112, transistor de alta frequência
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:TIP112
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor TIP112 DARLINGTON (NPN)
CARACTERÍSTICA
- Ganho atual alto de C.C.: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mínimo)
- Baixa tenso de saturaço do Coletor-emissor
- Uso industrial
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 100 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 100 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 5 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 2 | A |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 2 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55 a +150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=10mA, ISTO É =0 | 100 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=30mA, IB=0 (SUS) | 100 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =10MA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE=50V, IB=0 | 2 | miliampère | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB=100V, ISTO É =0 | 1 | miliampère | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 2 | miliampère | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE=4V, IC=1A | 1000 | 12000 | ||
| hFE (2) | VCE=4V, IC=2A | 500 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=2A, IB=8mA | 2,5 | V | ||
| Tenso do emissor de base | VBE | VCE=4V, IC=2A | 2,8 | V | ||
| Capacidade de saída do coletor | Espiga | VCB=10V, ISTO É =0, f=0.1MHz | 100 | PF |
Dimensões do esboço do pacote de TO-220-3L
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
| A1 | 2,520 | 2,820 | 0,099 | 0,111 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| E1 | 12,060 | 12,460 | 0,475 | 0,491 |
| e | 2,540 TIPO | 0,100 TIPOS | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| F | 2,590 | 2,890 | 0,102 | 0,114 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 13,400 | 13,800 | 0,528 | 0,543 |
| L1 | 3,560 | 3,960 | 0,140 | 0,156 |
| Φ | 3,735 | 3,935 | 0,147 | 0,155 |
Transistor de efeito de campo TIP112, transistor de alta frequência
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