Transistor do Mosfet do canal do OEM N, modo pequeno do realce do interruptor de alimentação do Mosfet
Número de modelo:12N60
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:1000-2000 PCes
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes:
No 14 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Transistor do Mosfet do canal do OEM N, modo pequeno do realce do interruptor de alimentaço do Mosfet
DESCRIÇO do transistor do Mosfet do canal de N
O UTC 12N60-C é um MOSFET de alta tenso do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor de fontes e de adaptadores de alimentaço do interruptor.
CARACTERÍSTICAS do transistor do Mosfet do canal de N
* RDS(SOBRE)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha testada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
INFORMAÇO PEDINDO
| Número pedindo | Pacote | Atribuiço de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
Nota: Atribuiço de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposiço em contrário)
| PARMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNI T | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tenso de diviso da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corrente do escapamento da fonte da porta | Dianteiro | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Reverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tenso do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 megahertz | 1465 | PF | |||
| Capacidade de saída | COSS | 245 | PF | ||||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 57 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Carga total da porta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 144 | nC | |||
| Carga da Porta-fonte | QGS | 10 | nC | ||||
| Carga do Porta-dreno | QGD | 27 | nC | ||||
| Tempo de atraso de ligaço (nota 1) | TD (SOBRE) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) | 81 | ns | |||
| Tempo de elevaço de ligaço | tR | 152 | ns | ||||
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (FORA) | 430 | ns | ||||
| Tempo de queda da volta-Fora | tF | 215 | ns | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS | |||||||
| O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente | MIMS | 12 | A | ||||
O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira | ISMO | 48 | A | ||||
| Tenso dianteira do diodo da Dreno-fonte | VSD | VGS=0 V, MIMS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Tempo de recuperaço reversa | trr | VGS=0 V, MIMS=6.0 A, dIF/dt=100 A/μs (nota 1) | 336 | ns | |||
| Carga reversa da recuperaço | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas so aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas so avaliações do esforço somente e a operaço funcional do dispositivo no é implicada.
4. Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Circunstncia | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Fora das características | ||||||
| Tenso de diviso da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V mimD=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corrente zero do dreno da tenso da porta | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Em características (nota 3) | ||||||
| Tenso do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transcondutncia dianteira | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Características dinmicas (Note4) | ||||||
| Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 690 | - | PF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Características do interruptor (nota 4) | ||||||
| Tempo de atraso de ligaço | TD (sobre) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω | - | 11 | - | nS |
| Tempo de elevaço de ligaço | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 35 | - | nS | |
| Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Carga total da porta | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V | - | 15,5 | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
| Tenso dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente dianteira do diodo (nota 2) | MIMS | - | - | 9,6 | A | |
| Tempo de recuperaço reversa | trr | TJ = 25°C, SE =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) | - | 21 | nS | |
| Carga reversa da recuperaço | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tempo de ligaço dianteiro | tonelada | O tempo de ligaço intrínseco é insignificante (a tara é dominada por LS+LD) | ||||
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas:
1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de
dever.
Transistor do Mosfet do canal do OEM N, modo pequeno do realce do interruptor de alimentação do Mosfet
Inquiry Cart
0