Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz
Número de modelo:5N20DY TO-252
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
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Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentaço do diodo emissor de luz
Descriço do transistor de poder do Mosfet
A trincheira avançada dos usos de AP50N20D
tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar um interruptor lateral alto deslocado nível, e para um anfitrio de outro
Características gerais do transistor de poder do Mosfet
V DS =200V, I D =5A
R DS (SOBRE) <520m>
Aplicaço do transistor de poder do Mosfet
Interruptor da carga
Comutado duramente e a alta frequência circuita a fonte de alimentaço ininterrupta
Marcaço do pacote e informaço pedindo
| Identificaço do produto | Bloco | Marcaço | Qty (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Avaliações máximas absolutas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
| Parmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tenso da Dreno-fonte | VDS | 200 | V |
| Tenso da Porta-fonte | VGS | ±20 | V |
| Drene Atual-contínuo | Identificaço | 5 | A |
| Drene Atual-pulsado (nota 1) | IDM | 20 | A |
| Dissipaço de poder máxima | Paládio | 30 | W |
| Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Característica térmica
| Resistência térmica, Junço--ambiental (nota 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
Características elétricas (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
| Parmetro | Símbolo | Circunstncia | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Fora das características | ||||||
| Tenso de diviso da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| Corrente zero do dreno da tenso da porta | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Em características (nota 3) | ||||||
| Tenso do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Transcondutncia dianteira | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Características dinmicas (Note4) | ||||||
| Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 580 | - | PF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Características do interruptor (nota 4) | ||||||
| Tempo de atraso de ligaço | TD (sobre) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω | - | 10 | - | nS |
| Tempo de elevaço de ligaço | tr | - | 12 | - | nS | |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 15 | - | nS | |
| Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 15 | - | nS | |
| Carga total da porta | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V | - | 12 | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
| Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
| Tenso dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente dianteira do diodo (nota 2) | É | - | - | 5 | A | |
Notas:
- Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.
- Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
- Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
- Garantido pelo projeto, no sujeito produço
Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
| D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
| D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
| D2 | 0,483 TIPOS. | 0,190 TIPOS. | ||
| E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
| e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
| L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
| L1 | 2,900 TIPO. | 0,114 TIPOS. | ||
| L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
| L3 | 1,600 TIPO. | 0,063 TIPOS. | ||
| L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
| Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| V | 5,350 TIPO. | 0,211 TIPOS. | ||
Interruptor de circuito do transistor de poder 2A do Mosfet do canal de N 600V para a movimentação do diodo emissor de luz
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