Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252
Número de modelo:50P06D TO-252
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
Detalhes do produto
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Transistor original do canal de P/transistor de alta tenso 50P06D TO-252
DESCRIÇO do transistor do canal de P
A trincheira avançada dos usos 50P06D
tecnologia para fornecer R excelente DS (SOBRE)
e baixa carga da porta. Este dispositivo é
apropriado para o uso como um interruptor da carga ou dentro
Aplicações de PWM
GENERAL CARACTERÍSTICAS do transistor do canal de P
V DS = - 60V, I D =-50A
R do poder superior do DS (SOBRE < 25m=""> ) R DS (SOBRE <
30m=""> ) e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
Aplicaço do transistor do canal de P
Aplicações de PWM
Interruptor da carga
Gesto do poder
Marcaço do pacote e informaço pedindo
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)
NOTAS:
1. Avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura
de junço máxima.
2. superfície montada em 1in 2 FR4 placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de
dever. 4. garantido pelo projeto, no sujeito aos testes de produço.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Informaço do pacote DFN5X6-8
Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252
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