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Tensão 100V de transistor de poder do Mosfet do canal do modo N do realce baixa
Poder do Mosfet do canal de N Funcionamento e características
A construção do MOSFET do poder está nas V-configurações, como nós podemos ver na seguinte figura. Assim o dispositivo é chamado igualmente como o V-MOSFET ou o V-FET. O v que a forma do MOSFET do poder é cortada para penetrar da superfície do dispositivo é quase à carcaça de N+ ao N+, ao P, e ao N – camadas. A camada de N+ é a camada pesadamente lubrificada com um baixo material resistive e a camada do n é uma camada levemente lubrificada com a região alta da resistência.
Características do poder do Mosfet do canal de N
VDS= 100V MIM D=2.8 A
RDS (SOBRE)< 320m="">
Aplicação do poder do Mosfet do canal de N
Proteção da bateria
Fonte de alimentação ininterrupta
Marcação do pacote e informação pedindo
Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Avaliações máximas absolutas (TC=25℃ salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão da Dreno-fonte | 100 | V |
VGS | Tensão do rce da porta-Sou | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
ID@TA =70℃ | Corrente contínua do dreno, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
IDM | Dreno pulsado Current2 | 5 | A |
℃ de PD@TA =25 | Poder total Dissipation3 | 1 | W |
TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
RθJA | Resistência térmica 1 Junção-ambiental | 125 | ℃/W |
RθJC | Junção-caso 1 da resistência térmica | 80 | ℃/W |
Características elétricas (℃ de TJ =25, salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática da Dreno-fonte | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | A |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | A |
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistência da porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Carga total da porta (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Carga da Porta-fonte | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Carga do Porta-dreno | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tempo de queda | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacidade da entrada | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacidade de saída | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacidade reversa de transferência | --- | 16,4 | 23 | ||
É | Corrente de fonte contínua 1,4 | VG=VD=0V, corrente da força | --- | --- | 1,2 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | O diodo envia Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo de recuperação reversa | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | 9,3 | --- | nC |
Símbolo | Parâmetro | Circunstâncias | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referência a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (SOBRE) | Em-resistência estática da Dreno-fonte | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | A |
IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | A |
IGSS | Corrente do escapamento da Porta-fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transcondutância dianteira | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistência da porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Carga total da porta (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Carga da Porta-fonte | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Carga do Porta-dreno | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tempo de queda | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacidade da entrada | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacidade de saída | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacidade reversa de transferência | --- | 16,4 | 23 | ||
É | Corrente de fonte contínua 1,4 | VG=VD=0V, corrente da força | --- | --- | 1,2 | A |
ISMO | Corrente de fonte pulsada 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | O diodo envia Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tempo de recuperação reversa | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa da recuperação | --- | 9,3 | --- | nC |
Nota:
os dados 1.The testaram pela superfície montada em uma placa de 1 polegada FR-4 com cobre 2OZ. os dados 2.The testaram pelo pulsado, a largura de pulso ≦300us, ciclo de dever ≦2%
a dissipação de poder 3.The é limitada pela temperatura de junção de 150 ℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
Símbolo |
Dimensões nos milímetros | |
MÍNIMO. | MÁXIMO. | |
A | 0,900 | 1,150 |
A1 | 0,000 | 0,100 |
A2 | 0,900 | 1,050 |
b | 0,300 | 0,500 |
c | 0,080 | 0,150 |
D | 2,800 | 3,000 |
E | 1,200 | 1,400 |
E1 | 2,250 | 2,550 |
e | 0.950TYPE | |
e1 | 1,800 | 2,000 |
L | 0.550REF | |
L1 | 0,300 | 0,500 |
θ | 0° | 8° |
Atenção
1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto não tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenção das funções vitais, sistemas de controlo de avião, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.
2, microeletrônica de APM não supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condição operacional, ou outros parâmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.
3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e não são garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que não podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.
4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano à outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos não possam ocorrer. Tais medidas incluem mas não são limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenção de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.
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