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Transistor do interruptor de alimentaço de AP12N10D, transistor de poder original do silicone
Descriço geral:
A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP12N10D
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operaço com as tensões da porta to baixas quanto 4.5V. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como a
Proteço da bateria ou na outra aplicaço do interruptor.
Características gerais
VDS = 100V IDENTIFICAÇO = 5A
RDS (SOBRE) < 140m="">
Aplicaço
Proteço da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentaço ininterrupta
Marcaço do pacote e informaço pedindo
Identificaço do produto | Bloco | Marcaço | Qty (PCS) |
AP12N10D | TO-252 | AP12N10D | 3000 |
Avaliações máximas absolutas em Tj=25℃ salvo disposiço em contrário
Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Drene a tenso da fonte | VDS | 100 | V |
Tenso de fonte de porta | VGS | ±20 | V |
Corrente contínua do dreno, ℃ TC=25 | Identificaço | 12 | A |
Corrente pulsada do dreno, ℃ de T =25 | Identificaço, pulso | 24 | A |
Dissipaço de poder, ℃ de T C=25 | P D | 17 | W |
Escolha a energia pulsada da avalancha 5) | EAS | 1,2 | mJ |
Temperatura da operaço e de armazenamento | Tstg, Tj | -55 a 150 | ℃ |
Resistência térmica, junço-caso | RθJC | 7,4 | ℃/W |
Resistência térmica, junction-ambient4) | RθJA | 62 | ℃/W |
Características elétricas no ℃ Tj=25 salvo disposiço em contrário
Símbolo | Parmetro | Condiço de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | tenso de diviso da Dreno-fonte | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (SOBRE) | resistência do em-estado da Dreno-fonte | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (SOBRE) | resistência do em-estado da Dreno-fonte | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
corrente do escapamento da Porta-fonte | V =20 V | 100 |
nA | ||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | A | ||
Ciss | Capacidade da entrada | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Capacidade de saída | 28,9 | PF | |||
Crss | Capacidade reversa de transferência | 1,4 | PF | |||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | VGS=10 V, VDS=50 V, | 14,7 | ns | ||
tr | Tempo de elevaço | 3,5 | ns | |||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | 20,9 | ns | |||
t f | Tempo de queda | 2,7 | ns | |||
Qg | Carga total da porta | 4,3 | nC | |||
Qgs | carga da Porta-fonte | 1,5 | nC | |||
Qgd | carga do Porta-dreno | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Tenso do platô da porta | 5,0 | V | |||
É | O diodo envia a corrente |
VGS | 7 |
A | ||
ISP | Corrente de fonte pulsada | 21 | ||||
VSD | Tenso dianteira do diodo | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t rr | Tempo de recuperaço reversa | 32,1 | ns | |||
Qrr | Carga reversa da recuperaço | 39,4 | nC | |||
Irrm | Corrente de recuperaço reversa máxima | 2,1 | A |
Símbolo | Parmetro | Condiço de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade |
BVDSS | tenso de diviso da Dreno-fonte | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (SOBRE) | resistência do em-estado da Dreno-fonte | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (SOBRE) | resistência do em-estado da Dreno-fonte | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
corrente do escapamento da Porta-fonte | V =20 V | 100 |
nA | ||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | A | ||
Ciss | Capacidade da entrada | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Capacidade de saída | 28,9 | PF | |||
Crss | Capacidade reversa de transferência | 1,4 | PF | |||
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | VGS=10 V, VDS=50 V, | 14,7 | ns | ||
tr | Tempo de elevaço | 3,5 | ns | |||
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | 20,9 | ns | |||
t f | Tempo de queda | 2,7 | ns | |||
Qg | Carga total da porta | ID=5 A, VDS=50 V, VGS=10 V | 4,3 | nC | ||
Qgs | carga da Porta-fonte | 1,5 | nC | |||
Qgd | carga do Porta-dreno | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Tenso do platô da porta | 5,0 | V | |||
É | O diodo envia a corrente |
VGS | 7 |
A | ||
ISP | Corrente de fonte pulsada | 21 | ||||
VSD | Tenso dianteira do diodo | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t rr | Tempo de recuperaço reversa | IS=5 A, di/dt=100 A/μs | 32,1 | ns | ||
Qrr | Carga reversa da recuperaço | 39,4 | nC | |||
Irrm | Corrente de recuperaço reversa máxima | 2,1 | A |
Atenço
1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto no tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenço das funções vitais, sistemas de controlo de avio, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.
2, microeletrônica de APM no supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condiço operacional, ou outros parmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.
3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e no so garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que no podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.
4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos no possam ocorrer. Tais medidas incluem mas no so limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenço de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.
5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos no devem ser exportados sem obter a licença de exportaço das autoridades referidas de acordo com a lei acima.
6, nenhuma parte desta publicaço podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecnico, incluindo a fotocópia e a gravaço, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperaço de informaço, ou de outra maneira, sem a autorizaço escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.
7, informaço (incluindo esquemas de circuito e parmetros do circuito) so nisto por exemplo somente; no se garante para a produço de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informaço nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relaço a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.
8, alguns e toda a informaço descritos ou contidos nisto so sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificaço entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.