Transistor do interruptor de alimentação de AP12N10D, transistor de poder original do silicone

Número de modelo:AP12N10D
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes: No 14 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Transistor do interruptor de alimentaço de AP12N10D, transistor de poder original do silicone

 

Descriço geral:

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP12N10D
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operaço com as tensões da porta to baixas quanto 4.5V. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como a
Proteço da bateria ou na outra aplicaço do interruptor.

 

Características gerais

 

VDS = 100V IDENTIFICAÇO = 5A
RDS (SOBRE) < 140m="">

 

 

Aplicaço

 

Proteço da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentaço ininterrupta

 

Marcaço do pacote e informaço pedindo

 

Identificaço do produtoBlocoMarcaçoQty (PCS)
AP12N10DTO-252AP12N10D3000

 

Avaliações máximas absolutas em Tj=25℃ salvo disposiço em contrário

 

ParmetroSímboloValorUnidade
Drene a tenso da fonteVDS100V
Tenso de fonte de portaVGS±20V
Corrente contínua do dreno, ℃ TC=25Identificaço12A
Corrente pulsada do dreno, ℃ de T =25Identificaço, pulso24A
Dissipaço de poder, ℃ de T C=25

P

D

17W
Escolha a energia pulsada da avalancha 5)EAS1,2mJ
Temperatura da operaço e de armazenamentoTstg, Tj-55 a 150
Resistência térmica, junço-casoRθJC7,4℃/W
Resistência térmica, junction-ambient4)RθJA62℃/W

 

Características elétricas no ℃ Tj=25 salvo disposiço em contrário

 

SímboloParmetroCondiço de testeMínimo.Tipo.Máximo.Unidade
BVDSStenso de diviso da Dreno-fonteV =0 V, μA ID=250100  V
VGS (th)Tenso do ponto inicial da portaV =V, μA ID=2501,21,52,5V
RDS (SOBRE)resistência do em-estado da Dreno-fonteVGS=10 V, ID=5 A 110140
RDS (SOBRE)resistência do em-estado da Dreno-fonteV =4.5 V, ID=3 A 140180

 

IGSS

 

corrente do escapamento da Porta-fonte

V =20 V  100

 

nA

V =-20 V  -100
IDSScorrente do escapamento da Dreno-fonteVDS=100 V, VGS=0 V  1A
CissCapacidade da entradaV =0 V, 206,1 PF
CossCapacidade de saída 28,9 PF
CrssCapacidade reversa de transferência 1,4 PF
TD (sobre)Tempo de atraso de ligaço

VGS=10 V,

VDS=50 V,

 14,7 ns
trTempo de elevaço 3,5 ns
TD (fora)Tempo de atraso da volta-fora 20,9 ns

t

f

Tempo de queda 2,7 ns
QgCarga total da porta  4,3 nC
Qgscarga da Porta-fonte 1,5 nC
Qgdcarga do Porta-dreno 1,1 nC
VplateauTenso do platô da porta 5,0 V
ÉO diodo envia a corrente

 

VGS

  7

 

A

ISPCorrente de fonte pulsada  21
VSDTenso dianteira do diodoIS=7 A, VGS=0 V  1,0V

t

rr

Tempo de recuperaço reversa  32,1 ns
QrrCarga reversa da recuperaço 39,4 nC
IrrmCorrente de recuperaço reversa máxima 2,1 A
SímboloParmetroCondiço de testeMínimo.Tipo.Máximo.Unidade
BVDSStenso de diviso da Dreno-fonteV =0 V, μA ID=250100  V
VGS (th)Tenso do ponto inicial da portaV =V, μA ID=2501,21,52,5V
RDS (SOBRE)resistência do em-estado da Dreno-fonteVGS=10 V, ID=5 A 110140
RDS (SOBRE)resistência do em-estado da Dreno-fonteV =4.5 V, ID=3 A 140180

 

IGSS

 

corrente do escapamento da Porta-fonte

V =20 V  100

 

nA

V =-20 V  -100
IDSScorrente do escapamento da Dreno-fonteVDS=100 V, VGS=0 V  1A
CissCapacidade da entradaV =0 V, 206,1 PF
CossCapacidade de saída 28,9 PF
CrssCapacidade reversa de transferência 1,4 PF
TD (sobre)Tempo de atraso de ligaço

VGS=10 V,

VDS=50 V,

 14,7 ns
trTempo de elevaço 3,5 ns
TD (fora)Tempo de atraso da volta-fora 20,9 ns

t

f

Tempo de queda 2,7 ns
QgCarga total da portaID=5 A,
VDS=50 V,
VGS=10 V
 4,3 nC
Qgscarga da Porta-fonte 1,5 nC
Qgdcarga do Porta-dreno 1,1 nC
VplateauTenso do platô da porta 5,0 V
ÉO diodo envia a corrente

 

VGS

  7

 

A

ISPCorrente de fonte pulsada  21
VSDTenso dianteira do diodoIS=7 A, VGS=0 V  1,0V

t

rr

Tempo de recuperaço reversaIS=5 A, di/dt=100
A/μs
 32,1 ns
QrrCarga reversa da recuperaço 39,4 nC
IrrmCorrente de recuperaço reversa máxima 2,1 A

 

Atenço

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto no tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenço das funções vitais, sistemas de controlo de avio, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM no supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condiço operacional, ou outros parmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e no so garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que no podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos no possam ocorrer. Tais medidas incluem mas no so limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenço de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos no devem ser exportados sem obter a licença de exportaço das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicaço podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecnico, incluindo a fotocópia e a gravaço, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperaço de informaço, ou de outra maneira, sem a autorizaço escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informaço (incluindo esquemas de circuito e parmetros do circuito) so nisto por exemplo somente; no se garante para a produço de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informaço nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relaço a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informaço descritos ou contidos nisto so sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificaço entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

 

China Transistor do interruptor de alimentação de AP12N10D, transistor de poder original do silicone supplier

Transistor do interruptor de alimentação de AP12N10D, transistor de poder original do silicone

Inquiry Cart 0