Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

Número de modelo:AP8205S
Lugar de origem:Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima:negociação
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega:1 - 2 semanas
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
Fornecedor do último login vezes: No 14 Horas
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Detalhes do produto

Transistor de poder solar do Mosfet dos inversores 6A 20V com velocidade de interruptor alta

 

Descriço do transistor de poder do Mosfet:

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos de AP8205S
para fornecer o RDS excelente (SOBRE), baixa carga da porta
e operaço com as tensões da porta to baixas quanto 2.5V.
Este dispositivo é apropriado para o uso como uma bateria
proteço ou na outra aplicaço do interruptor.

 

Características do transistor de poder do Mosfet

 

VDS = 20V, IDENTIFICAÇO = 6A
RDS (SOBRE) < 20=""> RDS (SOBRE) < 27="">

 

 

Aplicaço do transistor de poder do Mosfet

 

Proteço da bateria
Interruptor da carga
Fonte de alimentaço ininterrupta

 

Marcaço do pacote e informaço pedindo

 

Identificaço do produtoBlocoMarcaçoQty (PCS)
AP8205SSOT23-68205S3000

 

Characteristics@Tj bonde =25C (salvo disposiço em contrário)

 

SímboloParmetroCondições de testeMínimo.Tipo.Máximo.Unidades
BVDSSTenso de diviso da Dreno-fonteVGS=0V, ID=250uA20--V
RDS (SOBRE)Em-resistência estática da Dreno-fonteVGS=4.5V, I D=6A-20,527
VGS=2.5V, I D=4A-2737
VGS (th)Tenso do ponto inicial da portaVDS=VGS, ID=250uA-0,751,2V
gfsTranscondutncia dianteiraVDS=10V, ID=6A-6-S
IDSSCorrente do escapamento da Dreno-fonteVDS=20V, VGS=0V--25A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V--250A
IGSSEscapamento da Porta-fonteVGS=+12V, VDS=0V--+100nA
QgCarga total 2 da portaID=6A-1117,6nC
QgsCarga da Porta-fonte-1,1-nC
QgdCarga do Porta-dreno (“Miller”)-4,1-nC
TD (sobre)Tempo de atraso de ligaço 2VDS=10V-4,2-ns

r

t

Tempo de elevaço-9-ns
TD (fora)Tempo de atraso da volta-fora-23-ns

f

t

Tempo de queda-3,5-ns
CissCapacidade da entrada

 

VGS=0V

-570910PF
CossCapacidade de saída-90-PF
CrssCapacidade reversa de transferência-85-PF
RgResistência da portaf=1.0MHz-1,62,4Ω
VSDEnvie em Voltage2IS=1.7A, VGS=0V--1,2V
trrTempo de recuperaço reversa 2IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs-21-ns
QrrCarga reversa da recuperaço -14-nC
SímboloParmetroCondições de testeMínimo.Tipo.Máximo.Unidades
BVDSSTenso de diviso da Dreno-fonteVGS=0V, ID=250uA20--V
RDS (SOBRE)Em-resistência estática da Dreno-fonteVGS=4.5V, I D=6A-20,527
VGS=2.5V, I D=4A-2737
VGS (th)Tenso do ponto inicial da portaVDS=VGS, ID=250uA-0,751,2V
gfsTranscondutncia dianteiraVDS=10V, ID=6A-6-S
IDSSCorrente do escapamento da Dreno-fonteVDS=20V, VGS=0V--25A

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V--250A
IGSSEscapamento da Porta-fonteVGS=+12V, VDS=0V--+100nA
QgCarga total 2 da portaID=6A-1117,6nC
QgsCarga da Porta-fonte-1,1-nC
QgdCarga do Porta-dreno (“Miller”)-4,1-nC
TD (sobre)Tempo de atraso de ligaço 2VDS=10V-4,2-ns

r

t

Tempo de elevaço-9-ns
TD (fora)Tempo de atraso da volta-fora-23-ns

f

t

Tempo de queda-3,5-ns
CissCapacidade da entrada

 

VGS=0V

-570910PF
CossCapacidade de saída-90-PF
CrssCapacidade reversa de transferência-85-PF
RgResistência da portaf=1.0MHz-1,62,4Ω
VSDEnvie em Voltage2IS=1.7A, VGS=0V--1,2V
trrTempo de recuperaço reversa 2IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs-21-ns
QrrCarga reversa da recuperaço -14-nC

 

Atenço

 

1, algum e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto no tem as especificações que podem segurar as aplicações que exigem extremamente níveis elevados de confiança, tais como sistemas de manutenço das funções vitais, sistemas de controlo de avio, ou outras aplicações cuja a falha pode razoavelmente ser esperada conduzir a dano físico e/ou material sério. Consulte-o com seu mais próximo representativo da microeletrônica de APM antes de usar algum produto da microeletrônica de APM descrito ou contido nisto em tais aplicações.

2, microeletrônica de APM no supõem nenhuma responsabilidade para as falhas de equipamento que resultam de usar produtos nos valores que excedem, mesmo momentaneamente, os valores avaliados (tais como avaliações máximas, escalas da condiço operacional, ou outros parmetros) alistados em especificações de produtos de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descritos ou contidos nisto.

3, especificações de alguns e todos os produtos da microeletrônica de APM descreveram ou contiveram aqui o instipulate o desempenho, as características, e as funções dos produtos descritos no estado independente, e no so garantias do desempenho, das características, e das funções dos produtos descritos como montado nos produtos ou no equipamento do cliente. Para verificar os sintomas e os estados que no podem ser avaliados em um dispositivo independente, o cliente deve sempre avaliar e testar os dispositivos montados nos produtos ou no equipamento do cliente.

4, semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD. esforçam-se para fornecer os produtos altos de alta qualidade da confiança. Contudo, alguns e todos os produtos de semicondutor falham com alguma probabilidade. É possível que estas falhas probabilísticas poderiam causar os acidentes ou os eventos que poderiam pôr em perigo as vidas humanas que poderiam causar o fumo ou o fogo, ou que poderiam causar dano outra propriedade. O equipamento de Whendesigning, adota medidas de segurança de modo que estes tipos dos acidentes ou dos eventos no possam ocorrer. Tais medidas incluem mas no so limitadas aos circuitos protetores e aos circuitos da prevenço de erro para o projeto seguro, o projeto redundante, e o projeto estrutural.

5, caso exister ou todos os produtos da microeletrônica de APM (que incluem dados, serviços técnicos) descritos ou contidos nisto forem controlados sob alguns de leis e de regulamentos aplicáveis de controlo de exportações locais, tais produtos no devem ser exportados sem obter a licença de exportaço das autoridades referidas de acordo com a lei acima.

6, nenhuma parte desta publicaço podem ser reproduzidos ou transmitido em todo o formulário ou por qualquer meio, eletrônico ou mecnico, incluindo a fotocópia e a gravaço, ou o qualquer sistema de armazenamento ou de recuperaço de informaço, ou de outra maneira, sem a autorizaço escrita prévia do semicondutor CO. da microeletrônica de APM, LTD.

7, informaço (incluindo esquemas de circuito e parmetros do circuito) so nisto por exemplo somente; no se garante para a produço de volume. A microeletrônica de APM acredita que a informaço nisto é exata e segura, mas nenhuma garantia está feita ou implicada em relaço a seu uso ou a todas as infrações dos direitos de propriedade intelectual ou dos outros direitos de terceiros.

8, alguns e toda a informaço descritos ou contidos nisto so sujeitos mudar sem aviso prévio devido ao produto/melhoria da tecnologia, etc. Ao projetar o equipamento, refira da “a especificaço entrega” para o produto da microeletrônica de APM que você pretende usar.

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