transistor de interruptor AP4434AGYT-HF do diodo de 3.13W 40A IGBT PMPAK
Number modelo:AP4434AGYT-HF
Lugar de origem:Shenzhen, China
Quantidade de ordem mínima:Negociação
Termos do pagamento:Western Union, L/C, T/T
Capacidade da fonte:10,000PCS/Month
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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AP4434AGYT-HF PMPAK (interruptor original de YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC se lasca
Descriço
As séries de AP4434A so de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir a mais baixa em-resistência possível e o desempenho de comutaço rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
O pacote de PMPAK® 3x3 é especial para a aplicaço da converso da tenso usando a técnica infravermelha padro do reflow com o dissipador de calor da parte traseira para conseguir o bom desempenho térmico.
Avaliações máximas absolutas
| Símbolo | Parmetro | Avaliaço | Unidades |
| VDS | Tenso da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tenso da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Corrente contínua3do dreno, VGS @ 4.5V | 10,8 | |
| ID@TA =70℃ | Corrente contínua3do dreno, VGS @ 4.5V | 8,6 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipaço de poder total3 | 3,13 | W |
| TSTG | Variaço da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variaço da temperatura de funcionamento da junço | -55 a 150 | ℃ |
dados hermal
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-c | Resistência térmica máxima, Junço-caso | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junço-ambientais | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tenso de diviso da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇO =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇO =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transcondutncia dianteira | VDS =10V, IDENTIFICAÇO =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total da porta | IDENTIFICAÇO =7A VDS =10V VGS =4.5V | - | 12,5 | 20 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 1,5 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 4,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | IDENTIFICAÇO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V | - | 10 | - | ns |
| tr | Tempo de elevaço | - | 10 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 24 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 8 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada | VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz | - | 800 | 1280 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 165 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 145 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tenso2 | É =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperaço reversa | É =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs | - | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperaço | - | 10 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junço máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada do cobre2 2oz FR4 da placa, t<> 10sec; 210oC/W quando montado na almofada de cobre mínima.
transistor de interruptor AP4434AGYT-HF do diodo de 3.13W 40A IGBT PMPAK
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