APEC do transistor de poder CI de 1.38W 20A AP2302AGN-HF

Number modelo:AP2302AGN-HF

Lugar de origem:China

Quantidade de ordem mínima:Negociável

Termos do pagamento:Western Union, L/C, T/T

Capacidade da fonte:10,000PCS/Month

Prazo de entrega:semana 4~5

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Dos Estados-activa

Shenzhen Guangdong China

Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong

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APEC quente especializado AP2302AGN-HF dos CI AP2302AGN-HF

Descriço

As séries de AP2302A so de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na resistência e no desempenho de comutaço rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.

O pacote especial do projeto SOT-23 com bom desempenho térmico é preferido extensamente para todas as aplicações de superfície comercial-industriais da montagem usando a técnica infravermelha do reflow e serido para aplicações da converso ou do interruptor da tenso.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposiço em contrário)

Símbolo	Parmetro	Avaliaço	Unidades
VDS	Tenso da Dreno-fonte	20	V
VGS	Tenso da Porta-fonte	+8	V
ID@TA =25℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	4,6
ID@TA =70℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	3,7
IDM	Corrente pulsada^1do dreno	20
PD@TA =25℃	Dissipaço de poder total	1,38	W
TSTG	Variaço da temperatura do armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Variaço da temperatura de funcionamento da junço	-55 a 150	℃

Dados térmicos

Símbolo	Parmetro	Valor	Unidade
Rthj-a	Resistência térmica máxima,^3Junço-ambientais	90	℃/W

AP2302AGN-H

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposiço em contrário)

Símbolo	Parmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Tenso de diviso da Dreno-fonte	VGS =0V, IDENTIFICAÇO =250UA	20	-	-	V
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =4A	-	-	42	mΩ
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =2.5V, IDENTIFICAÇO =3A	-	-	60	mΩ
VGS (th)	Tenso do ponto inicial da porta	VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =250UA	0,3	-	1,2	V
gfs	Transcondutncia dianteira	VDS =5V, IDENTIFICAÇO =4A	-	14	-	S
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	A
IGSS	Escapamento da Porta-fonte	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total^2da porta	IDENTIFICAÇO =4A VDS =10V VGS =4.5V	-	6,5	10,5	nC
Qgs	Carga da Porta-fonte		-	1	-	nC
Qgd	Carga do Porta-dreno (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (sobre)	Tempo de atraso de ligaço²	IDENTIFICAÇO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	9	-	ns
tr	Tempo de elevaço		-	12	-	ns
TD (fora)	Tempo de atraso da volta-fora		-	16	-	ns
tf	Tempo de queda		-	5	-	ns
Ciss	Capacidade entrada	VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz	-	300	480	PF
Coss	Capacidade de saída		-	85	-	PF
Crss	Capacidade reversa de transferência		-	80	-	PF
Rg	Resistência da porta	f=1.0MHz	-	2	-	Ω

Diodo do Fonte-dreno

Símbolo	Parmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Envie na tenso²	É =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tempo de recuperaço reversa²	É =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	20	-	ns
Qrr	Carga reversa da recuperaço	É =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	10	-	nC

Notas:

largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junço máxima.
teste 2.Pulse

3.Surface montou em 1 na almofada² de cobre FR4 da placa, t<> 10s; 270℃/W quando montou na almofada de cobre mínima.

Pagamento:

Nós aceitamos os termos do pagamento: Transferência telegráfica (T/T) adiantado/serviço de Paypal/Western Union/compromisso ou termos líquidos (cooperaço a longo prazo).

Nós podemos apoiar muitos tipos da moeda, tais como USD; HKD; EUR; Os CNY e outro, contactam-nos por favor.