Condição nova do transistor de poder do Mosfet de AP1334GEU-HF 0.35W 8A
Number modelo:AP1334GEU-HF
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Termos do pagamento:T/T, Western Union, L/C
Capacidade da fonte:10,000/Month
Prazo de entrega:semana 4~5
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Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong
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No 14 Horas
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Preço da vantagem do componente eletrônico AP1334GEU-HF para o estoque original
Descriço
As séries AP1334 so de poder avançado inovaram projeto e tecnologia
de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na
resistência e no desempenho de comutaço rápido. Fornece o
desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta
gama de aplicações do poder.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC. (salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Avaliaço | Unidades |
| VDS | Tenso da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tenso da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 2,1 | |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 1,7 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 8 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipaço de poder total | 0,35 | W |
| TSTG | Variaço da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variaço da temperatura de funcionamento da junço | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junço-ambientais | 360 | ℃/W |
AP1334GEU-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tenso de diviso da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =2A | - | - | 65 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇO =1.5A | - | - | 75 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇO =1A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =250UA | 0,3 | - | 1 | V |
| gfs | Transcondutncia dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇO =2A | - | 12 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | A |
| Qg | Carga total da porta | Identificaço =2A VDS =10V VGS =4.5V | - | 9 | 14,4 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 1 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | IDENTIFICAÇO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V | - | 6 | - | ns |
| tr | Tempo de elevaço | - | 7 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 18 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 3 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada | VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz | - | 570 | 912 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 70 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 60 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 2,4 | 4,8 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tenso2 | É =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperaço reversa | É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs | - | 14 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperaço | - | 7 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junço máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou FR4 na placa, segundo do ≦ 10 de t.
Nossas vantagens:
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Condição nova do transistor de poder do Mosfet de AP1334GEU-HF 0.35W 8A
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