Interruptor de alimentação do MOSFET do ICS 0.833W 10A da LÓGICA de AP2322GN

Number modelo:AP2322GN

Lugar de origem:China

Quantidade de ordem mínima:Negociável

Termos do pagamento:L/C T/T WESTERN UNION

Capacidade da fonte:10,000/Month

Prazo de entrega:semana 4~5

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Dos Estados-activa

Shenzhen Guangdong China

Endereço: Sala 2013, construção internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, ShenZhen, província de Guangdong

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Detalhes do produto

O interruptor de uso geral original IC do poder Transistor/MOSFET/Power de AP2322GN lasca-se

Este produto é sensível descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.

Este produto no é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenço das funções vitais ou de outros sistemas similares.

O APEC no será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicaço ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.

O APEC reserva o direito de fazer sem aviso prévio mudanças a todo o produto neste acordo melhorar a confiança, a funço ou o projeto.

Descriço

Os MOSFETs avançados do poder utilizaram técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível, extremamente eficiente e o dispositivo da rentabilidade.

O pacote de SOT-23S é preferido extensamente para aplicações de superfície comercial-industriais da montagem e serido para aplicações da baixa tenso tais como conversores de DC/DC.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposiço em contrário)

Símbolo	Parmetro	Avaliaço	Unidades
VDS	Tenso da Dreno-fonte	20	V
VGS	Tenso da Porta-fonte	+8	V
ID@TA =25℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	2,5
ID@TA =70℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	2,0
IDM	Corrente pulsada^1do dreno	10
PD@TA =25℃	Dissipaço de poder total	0,833	W
TSTG	Variaço da temperatura do armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Variaço da temperatura de funcionamento da junço	-55 a 150	℃

Dados térmicos

Símbolo	Parmetro	Valor	Unidade
Rthj-a	Resistência térmica máxima,^3Junço-ambientais	150	℃/W

AP2322G

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposiço em contrário)

Símbolo	Parmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Tenso de diviso da Dreno-fonte	VGS =0V, IDENTIFICAÇO =250UA	20	-	-	V
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =1.6A	-	-	90	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICAÇO =1A	-	-	120	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICAÇO =0.3A	-	-	150	mΩ
VGS (th)	Tenso do ponto inicial da porta	VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =1MA	0,25	-	1	V
gfs	Transcondutncia dianteira	VDS =5V, IDENTIFICAÇO =2A	-	2	-	S
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte	VDS =20V, VGS =0V	-	-	1	A
IGSS	Escapamento da Porta-fonte	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total da porta	Identificaço =2.2A VDS =16V VGS =4.5V	-	7	11	nC
Qgs	Carga da Porta-fonte		-	0,7	-	nC
Qgd	Carga do Porta-dreno (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (sobre)	Tempo de atraso de ligaço	IDENTIFICAÇO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	6	-	ns
tr	Tempo de elevaço		-	12	-	ns
TD (fora)	Tempo de atraso da volta-fora		-	16	-	ns
tf	Tempo de queda		-	4	-	ns
Ciss	Capacidade entrada	V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz	-	350	560	PF
Coss	Capacidade de saída		-	55	-	PF
Crss	Capacidade reversa de transferência		-	48	-	PF
Rg	Resistência da porta	f=1.0MHz	-	3,2	4,8	Ω

Diodo do Fonte-dreno

Símbolo	Parmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Envie na tenso²	É =0.7A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tempo de recuperaço reversa	É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	20	-	ns
Qrr	Carga reversa da recuperaço	É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	13	-	nC