Luz infra-vermelha fotoelétrica 660nm da estrutura de proteção do sensor IP67 do IR da durabilidade alta

Número de modelo:E3F-DS30Y1
Quantidade de ordem mínima:100
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:1000only 8day
Lugar de origem:China
nome:Sensor fotoelétrico do IR
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Chaoyang Zhejiang China
Endereço: No. 328, estrada de Jinyang, vila de Chaoyang, cidade de Liushi, cidade de Yueqing, província de Zhejiang, China
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Luz infra-vermelha fotoelétrica 660nm da estrutura de proteço do sensor IP67 do IR da durabilidade alta

 

Descriço

O sensor infravermelho do interruptor de proximidade é um reflexo-tipo snesor fotoelétrico que envie e receba os feixes infravermelhos.

C.A. normalmente aberta do Três-fio PNP/NPN

 

Princípio de funcionamento

Os interruptores de proximidade infravermelhos funcionam mandando feixes da luz infra-vermelha invisível. Um fotodetector no interruptor de proximidade detecta todas as reflexões desta luz. Estas reflexões permitem que os interruptores de proximidade infravermelhos determinem se há um objeto próximo. Quando o infravermelho pode ler para trás os feixes infravermelhos que manda, a seguir este significa o trajeto do infravermelho está impedido, que significa que há um objeto próximo. Quando o sensor infravermelho no pode ler para trás os feixes que infravermelhos manda, este significa que o trajeto é desimpedido e no há nenhum objeto na frente do sensor, que é porque no pode ler para trás os feixes infravermelhos está mandando.

 

Parmetro

Tempo de conexo1.5ms
Fonte luminosaLuz infra-vermelha 660nm
tensoC.C.: Pulso da C.C. 12~24 (6~36V) (p-p) abaixo de 10%
C.A.: C.A. 110~220V (36~250V) 50/60Hz
Consumo atualN.P: ≤13mA
D: ≤0.8mA
A: ≤1.7mA
Controle a saídaN.P: ≤300mA
D: ≤200mA
A: ≤400mA
Dê laços na proteçoN.P.D: inverta a proteço da conexo, absorço do impulso, carga procuram um caminho mais curto a proteço
A: aflua a absorço
Temperatura ambiental-30~+65°C (nenhuma crosta de gelo, nenhuma condensaço)
Umidade ambiental-35~95%RH
Resistência de isolaço50MΩ ou mais (megohmmeter DC500) (entre a parte e o abrigo de carregamento)
Tenso de WithstandC.A. 1000V 50/60HZ 1min (entre a parte e o abrigo de carregamento)
Efeito de temperatura-30~+65°C: erro ±15% da distncia da detecço em +23°C
-25~+60°C: erro ±10% da distncia da detecço em +23°C
Efeito da tenso6-36V (90-250V): ±15% do erro da distncia da detecço
10-30V (220V): ±10% do erro da distncia da detecço
Nível da proteçoIP67 (IEC)
MaterialAbrigo: ABS
Superfície da detecço: ABS

 

Nota: Leia por favor as “precauções” do manual do produto antes de usar.

 

China Luz infra-vermelha fotoelétrica 660nm da estrutura de proteção do sensor IP67 do IR da durabilidade alta supplier

Luz infra-vermelha fotoelétrica 660nm da estrutura de proteção do sensor IP67 do IR da durabilidade alta

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