Receptor fotoelétrico reflexivo retro feito sob encomenda do transmissor do sensor integrado
Número de modelo:DS-G
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1000 PCes
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:10000 PCS UM MÊS
Tempo de entrega:8days
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Dos Estados-activa
Qingdao Shandong China
Endereço:
ESTRADA XIGONGGUAN 2-1-610 JIMO QINGDAO CHINA DE YANQING
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No 48 Horas
Detalhes do produto
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Detalhes do produto
DS-G• A distncia de detecço longa que é aproximadamente 8 cronometra aquela de nosso modelo convencional (para o Através-feixe e os modelos Difuso-reflexivos).
(Através-feixe: 40 m, Retro-reflexivo: 7 m, e Difuso-reflexivos: 2,5 M.)
• Visibilidade melhorada:
• Um diodo emissor de luz vermelho que faça o ponto visível.
• Grandes indicadores que podem ser vistos mesmo de uma distncia.
• Operabilidade melhorada.
(Ajustador da sensibilidade e seletor ampliados da operaço)
• Entrada livremente selecionável da fonte de alimentaço (24 a 240 VAC de 24 a 240 VDC,).
(Tipos adicionais adicionados ao tipo formaço da C.C.)
• Os modelos com diodo emissor de luz infravermelho esto igualmente disponíveis.
| Modelo | NPN | DS-U81 | DS-U82 | DS-U83 | DS-U84 | DS-U85 | DS-U86 | DS-U87 | DS-U88 |
| PNP | DS-U81P | DS-U82P | DS-U83P | DS-U84P | DS-U85P | DS-U86P | DS-U87P | DS-U88P | |
| Detectando a distncia (largura de entalhe) | 5mm (largura de entalhe) | ||||||||
| Detectando o objeto | Opaco: 2 × 0,8 milímetro Min. | ||||||||
| Distncia diferencial | 0.025mm | ||||||||
| Fonte luminosa | Diodo emissor de luz infravermelho do GaAs (iluminaço do pulso) com um comprimento de onda máximo de 940 nanômetro | ||||||||
| maneira da saída | N= NPN.NO.NC P= PNP.NO.NC | ||||||||
| tenso | 5 a 24 VDC ±10%, ondinha (p-p): máximo de 10%. | ||||||||
| Consumo atual | Média: 35 miliampères máximo (NPN). ; Pico: máximo de 30 miliampère (PNP) | ||||||||
| Iluminaço ambiental | máximo de 1.000 lx com luz incandescente na superfície do receptor | ||||||||
| Variaço da temperatura ambiental | Funcionamento: −25 a +55°C Armazenamento: −30 a +80°C | ||||||||
| Escala de umidade ambiental | Funcionamento: 5% a 85% Armazenamento: 5% a 95% | ||||||||
| Resistência da vibraço | Destruiço: 20 a 2000 hertz, 1,5 milímetros de amplitude do dobro para 2 h cada um em sentidos de X, de Y, e de Z | ||||||||
| Resistência de choque | Destruiço: 500 m/s2 por 3 vezes cada um em sentidos de X, de Y, e de Z | ||||||||
| Grau de proteço | IEC IP50 | ||||||||
| Método de conexo | Pre-prendido (comprimento do cabo padro: 1 m) | ||||||||
| Frequência da resposta | Um minuto de 1 quilohertz (média 3 quilohertz) | ||||||||
| Peso | 29g | ||||||||
| Controle a saída | Tenso de NPN output: Tenso de fonte de alimentaço da carga: 5 a 24 VDC Corrente da carga: máximo de 100 miliampère. FORA da corrente: 0,8 máximos do miliampère. corrente da carga de 100 miliampère com uma tenso residual de 0,8 máximos de V. corrente da carga de 40 miliampère com uma tenso residual de 0,4 V máximos, | ||||||||
| Material | Material de Shell: PBT/ABS Pervious para iluminar a parte: PC | ||||||||
Receptor fotoelétrico reflexivo retro feito sob encomenda do transmissor do sensor integrado
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