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MEMS VOA é baseado em um sistema micro-eletro-mecnico. Dentro do MEMS VOA, uma microplaqueta de MEMS com um espelho de inclinaço no silicone é assentada e o fio é ligado aos pinos. Uma tenso aplicada lata da microplaqueta de MEMS faz com que o espelho gire, que muda o acoplamento da luz entre a fibra da entrada e a fibra da saída, assim a quantidade desejada da atenuaço. MEMS VOA consegue a atenuaço ótica altamente repetível sobre C ou L faixa. Dá ao VOA de Unifiber uma vantagem no WDM, no VMUX/DEMUX, no EDFA e em aplicações óticas da proteço da rede.
Características:
Especificaço
| Parmetro | Especificaço | Unidade | Nota |
Escala de comprimento de onda | 1064 | nanômetro | |
| 1310 | nanômetro | Faixa de O | |
| 1530~1570 | nanômetro | Faixa de C | |
| 1570~1610 | nanômetro | L faixa | |
| Tipo da atenuaço | Brilhante ou escuro | - | |
| Escala da atenuaço | ≥30 | DB | Para o único modo |
| Atenuaço do estado de obstruço) | ≥40 | DB | Tipo escuro |
| Perda de inserço | ≤0.7 | DB | Para o único modo |
| Definiço da atenuaço | Contínuo | - | |
| Perda dependente do comprimento de onda | ≤0.3 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
| ≤1.5 0,8 típico | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
| Perda dependente da polarizaço | 0,1 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
| 0,5 | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
| Perda dependente da temperatura | ≤0.7 | DB | @<0 dB="" Att=""> |
| ≤1.0 | DB | @<20 dB="" Att=""> | |
| Perda de retorno | ≥45 | DB | Para o único modo |
| Tempo de Respnse | ≤2 | Senhora | poder 10-90%optical |
| Entregar ótico do poder | 500 | mW | |
| Conduzindo a tenso | 6,5 ou 15 | V | |
| Consumo de potência | ≤2 | mW | |
| Temperatura da operaço | 0~70 | ℃ | |
| Temperatura de armazenamento | -40~85 | ℃ |
Notas: 1. especificado sem conectores. 2. adicione uma perda 0.2dB adicional pelo conector.