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bolachas da safira SSP/DSP do C-plano da m-linha central de 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm com espessura 650um/1000um
Físico | |
Fórmula química | Al2 O3 |
Densidade | 3,97 g/cm3 |
Dureza | 9 Mohs |
Ponto de derretimento | OC 2050 |
Temperatura máxima do uso | 1800-1900oC |
Mecnico | |
Resistência traço | 250-400 MPa |
Força compressiva | MPa 2000 |
A relaço de Poisson | 0.25-0.30 |
Módulo Young | 350-400 GPa |
Força de dobra | 450-860 MPa |
Módulo do êxtase | 350-690 MPa |
Térmico | |
Taxa linear da expanso (em 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
Condutibilidade térmica (em 298 K) | 30,3 com (m*K) (⊥ C) |
32,5 com (m*K) (∥ C) | |
Calor específico (em 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
Bonde | |
Resistividade (em 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
Constante dielétrica (em 298 K, em uns 10 intervalos de3 - 109 hertz) | 9,3 (⊥ C) |
11,5 (∥ C) |
A safira sintética é o Al puro2 O3 do único cristal 99,99% transparentes que exibe uma combinaço
original de propriedades físicas, químicas, elétricas e óticas: a
condutibilidade térmica, de grande resistência altos e riscam a
resistência, dureza (9 na escala de Mohs), transparente na vasta
gama de comprimento de onda, inertness químico.
A perfeiço de cristal alta, a baixa reatividade, e o tamanho de
pilha apropriado da unidade fazem a safira uma carcaça excelente na
indústria do semicondutor para diodos luminescentes azuis (LED).
Desde que o Prêmio Nobel na física Shuji Nakamura usou a carcaça em
1990 s da safira para o diodo emissor de luz, a procura do cristal
de safira tem crescido rapidamente.
Conduz o desenvolvimento dos novos mercados como a iluminaço geral, a iluminaço da parte traseira nos aparelhos de televiso, as exposições, os dispositivos do consumidor, o espaço aéreo e a defesa, e as outras aplicações
O material é crescido e orientado, e as carcaças so fabricadas e lustradas a uma superfície Epi-pronta extremamente lisa de dano livre em um ou ambo o lado da bolacha. Uma variedade de orientações e tamanhos da bolacha até 6" dimetro esto disponíveis.
As carcaças da safira do Um-plano - so usadas geralmente para as aplicações micro-electrónicas híbridas que exigem uma constante dielétrica uniforme e que isolam altamente características.
Carcaças do C-plano - tenda a ser usado para compostos do lll-V e do ll-Vl, tais como GaN, para o diodo emissor de luz brilhante e diodos láser azuis e verdes.
Carcaças do R-plano - estes so preferidos para o depósito hetero-epitaxial do silicone usado em aplicações micro-electrónicas de IC.
Bolacha padro bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas | Corte do Special bolachas da safira do Um-plano (1120) bolachas da safira do R-plano (1102) bolachas da safira do M-plano (1010) bolachas da safira do N-plano (1123) C-linha central com um offcut de 0.5°~ 4°, para a Um-linha central ou a M-linha central A outra orientaço personalizada |
Tamanho personalizado bolacha da safira de 10*10mm bolacha da safira de 20*20mm Bolacha ultra fina da safira (100um) bolacha da safira de 8 polegadas | Carcaça modelada (PSS) da safira C-plano PSS de 2 polegadas C-plano PSS de 4 polegadas |
2inch | DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt C-linha central 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch |
C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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4Inch |
c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm do dsp c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp
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6inch | c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp
c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp
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Especificaço para carcaças
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Detalhe dos produtos
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