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bolachas da safira SSP/DSP do C-plano da m-linha central de 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm com espessura 650um/1000um
GENERAL | |||||
Fórmula química | Al2O3 | ||||
Crystal Stucture | Sistema sextavado ((HK o 1) | ||||
Dimenso da pilha de unidade | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730 | ||||
EXAME | |||||
Métrica | Inglês (imperial) | ||||
Densidade | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 | |||
Dureza | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700° F | |||
Ponto de derretimento | 2310 K (2040° C) | ||||
ESTRUTURAL | |||||
Resistência traço | MPa 275 a MPa 400 | 40.000 a 58.000 libras por polegada quadrada | |||
em 20° | MPa 400 | 58.000 libras por polegada quadrada (projeto mínimo) | |||
em 500° C | MPa 275 | 40.000 libras por polegada quadrada (projeto mínimo) | |||
em 1000° C | MPa 355 | 52.000 libras por polegada quadrada (projeto mínimo) | |||
Stength Flexural | MPa 480 a MPa 895 | 70.000 a 130.000 libras por polegada quadrada | |||
Força da compresso | 2,0 GPa (final) | 300.000 libras por polegada quadrada (final) |
O processo de Kyropoulos (processo das KY) para o crescimento de
cristal de safira é usado atualmente por muitas empresas em China
para produzir a safira para as indústrias da eletrônica e do
sistema ótico.
a Alto-pureza, o óxido de alumínio é derretida em um cadinho em
mais de 2100 graus Célsio. O cadinho é feito tipicamente do
tungstênio ou do molibdênio. Um cristal de semente precisamente
orientado é mergulhado na alumina derretida. O cristal de semente é
puxado lentamente para cima e pode ser girado simultaneamente.
Precisamente controlando os inclinações de temperatura, taxa de
puxar e taxa de diminuiço da temperatura, é possível produzir um
grande, único-cristal, lingote aproximadamente cilíndrico do
derretimento.
Após única a safira de cristal os boules so crescidos, núcleo-so
furados nas hastes cilíndricas, as hastes so cortadas acima na
espessura desejada da janela e lustradas finalmente ao revestimento
de superfície desejado.
Uso como a carcaça para circuitos semiconducting
As bolachas finas da safira eram o primeiro uso bem sucedido de uma
carcaça de isolamento em cima de que para depositar o silicone para
fazer os circuitos integrados conhecidos como o silicone na safira
ou no “SOS”, além de suas propriedades de isolamento elétricas
excelentes, a safira tem a condutibilidade térmica alta. As
microplaquetas do CMOS na safira so especialmente úteis para
aplicações de alta potência da radiofrequência (RF) tais como
aqueles encontrados em telefones celulares, em rádios da faixa da
público-segurança, e em sistemas de comunicaço satélite.
As bolachas da safira do único-cristal so usadas igualmente na
indústria do semicondutor como carcaças para o crescimento dos
dispositivos baseados no nitreto do gálio (GaN). O uso da safira
reduz significativamente o custo, porque tem aproximadamente um
sétimo do custo do germnio. O nitreto do gálio na safira é de uso
geral nos diodos luminescentes azuis (diodo emissor de luz).
Usado como um material da janela
A safira sintética (referida s vezes como o vidro da safira) é de
uso geral como um material da janela, porque é altamente
transparente aos comprimentos de onda de uma luz entre 150
nanômetro (UV) e 5500 nanômetro (IR) (o espectro visível estende
aproximadamente 380 nanômetro a 750 nanômetro, e
extraordinariamente risco-resistente. Os benefícios chaves de
janelas da safira so:
* faixa ótica muito larga da transmisso de UV a
próximo-infravermelho
* significativamente mais fortes do que outras materiais óticos ou
janelas de vidro
* altamente resistente ao risco e abraso (9 na escala de Mohs da
escala mineral da dureza, ó substncia natural a mais dura ao lado
do moissanite e aos diamantes)
* temperatura de derretimento extremamente alta (°C) 2030
Bolacha padro bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas | Corte especial bolachas da safira do Um-plano (1120) bolachas da safira do R-plano (1102) bolachas da safira do M-plano (1010) bolachas da safira do N-plano (1123) C-linha central com um offcut de 0.5°~ 4°, para a Um-linha central ou a M-linha central A outra orientaço personalizada |
Tamanho personalizado bolacha da safira de 10*10mm bolacha da safira de 20*20mm Bolacha ultra fina da safira (100um) bolacha da safira de 8 polegadas | Sapphire Substrate modelada (PSS) C-plano PSS de 2 polegadas C-plano PSS de 4 polegadas |
2inch | DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt C-linha central 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch | C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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4Inch | dsp c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp
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6inch | c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp
c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp
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Especificaço para carcaças
Artigo | Parmetro | Especs. | Unidade | ||
1 | Nome do produto | Sapphire Wafer (Al2O3) | |||
2 | Dimetro | 2" | 4" | 6" | milímetro |
3 | Espessura | 430± 25 | 650± 25 | ± 1000 25 | μm |
4 | Orientaço de superfície | O C-plano (0001) inclinou a M-linha central 0.2°/0.35°± 0.1° | grau | ||
5 | Plano preliminar | ± 0.2° da Um-linha central (11-20) | grau | ||
Comprimento da orientaço | 16 ± 0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5 ± 2,0 | milímetro | |
6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
7 | Curva | -10 ~ 0 | -15 ~ 0 | -30 ~ 0 | μm |
8 | Urdidura | 10 | 20 | 30 | μm |
9 | Aspereza Front Side | 0,5 | 0,5 | 0,5 | nanômetro |
10 | Verso da aspereza | 1,0 ± 0,3 | μm | ||
11 | Borda da bolacha | R-tipo ou T-tipo | |||
12 | Laser Mark | Personalize |
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