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bolachas da safira SSP/DSP do C-plano da m-linha central de 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm com espessura 650um/1000um
O processo de Kyropoulos (processo das KY) para o crescimento de
cristal de safira é usado atualmente por muitas empresas em China
para produzir a safira para as indústrias da eletrônica e do
sistema ótico.
a Alto-pureza, o óxido de alumínio é derretida em um cadinho sobre
em 2100 graus Célsio. O cadinho é feito tipicamente do tungstênio
ou do molibdênio. Um cristal de semente precisamente orientado é
mergulhado na alumina derretida. O cristal de semente é puxado
lentamente para cima e pode ser girado simultaneamente.
Precisamente controlando os inclinações de temperatura, taxa de
puxar e taxa de diminuiço da temperatura, é possível produzir um
grande, único-cristal, lingote aproximadamente cilíndrico do
derretimento.
Depois que os boules da safira do único cristal so crescidos,
núcleo-esto furados nas hastes cilíndricas, as hastes so cortadas
acima na espessura desejada da janela e lustradas finalmente ao
revestimento de superfície desejado.
Uso como a carcaça para circuitos semiconducting
As bolachas finas da safira eram o primeiro uso bem sucedido de uma
carcaça de isolamento em cima de que para depositar o silicone para
fazer os circuitos integrados conhecidos como o silicone na safira
ou no “SOS”, além de suas propriedades de isolamento elétricas
excelentes, a safira tem a condutibilidade térmica alta. As
microplaquetas do CMOS na safira so especialmente úteis para
aplicações de alta potência de (RF) da radiofrequência tais como
aqueles encontrados em telefones celulares, em rádios da faixa da
público-segurança, e em sistemas de comunicaço satélite.
As bolachas da safira do único-cristal so usadas igualmente na
indústria do semicondutor como carcaças para o crescimento dos
dispositivos baseados no nitreto do gálio (GaN). O uso da safira
reduz significativamente o custo, porque tem aproximadamente um
sétimo do custo do germnio. O nitreto do gálio na safira é de uso
geral em diodos luminescentes azuis (LEDs).
Usado como um material da janela
A safira sintética (referida s vezes como o vidro da safira) é de
uso geral como um material da janela, porque é ambos altamente
transparentes aos comprimentos de onda de uma luz entre 150
nanômetro (UV) e 5500 nanômetro (IR) (o espectro visível estende
aproximadamente 380 nanômetro a 750 nanômetro, e
extraordinariamente risco-resistente. Os benefícios chaves de
janelas da safira so:
* faixa ótica muito larga da transmisso de UV a
próximo-infravermelho
* significativamente mais fortes do que outras materiais óticos ou
janelas de vidro
* altamente resistente ao risco e abraso (9 na escala de Mohs da
escala mineral da dureza, ó substncia natural a mais dura ao lado
do moissanite e aos diamantes)
* temperatura de derretimento extremamente alta (°C) 2030
GERAL | |||||
Fórmula química | Al2O3 | ||||
Estrutura de cristal | Sistema sextavado ((HK o 1) | ||||
Dimenso da pilha de unidade | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730 | ||||
FÍSICO | |||||
Métrica | Inglês (imperial) | ||||
Densidade | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 | |||
Dureza | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700° F | |||
Ponto de derretimento | 2310 K (2040° C) | ||||
ESTRUTURAL | |||||
Resistência traço | MPa 275 a MPa 400 | 40.000 a 58.000 libras por polegada quadrada | |||
em 20° | MPa 400 | 58.000 libras por polegada quadrada (projeto Min.) | |||
em 500° C | MPa 275 | 40.000 libras por polegada quadrada (projeto Min.) | |||
em 1000° C | MPa 355 | 52.000 libras por polegada quadrada (projeto Min.) | |||
Stength Flexural | MPa 480 a MPa 895 | 70.000 a 130.000 libras por polegada quadrada | |||
Força da compresso | 2,0 GPa (final) | 300.000 libras por polegada quadrada (final) |
Bolacha padro bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas | Corte do Special bolachas da safira do Um-plano (1120) bolachas da safira do R-plano (1102) bolachas da safira do M-plano (1010) bolachas da safira do N-plano (1123) C-linha central com um offcut de 0.5°~ 4°, para a Um-linha central ou a M-linha central A outra orientaço personalizada |
Tamanho personalizado bolacha da safira de 10*10mm bolacha da safira de 20*20mm Bolacha ultra fina da safira (100um) bolacha da safira de 8 polegadas | Carcaça modelada (PSS) da safira C-plano PSS de 2 polegadas C-plano PSS de 4 polegadas |
2inch | DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt C-linha central 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch | C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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4Inch | c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm do dsp c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp
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6inch | c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp
c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp
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Artigo | Parmetro | Especs. | Unidade | ||
1 | Nome do produto | Bolacha da safira (Al2O3) | |||
2 | Dimetro | 2" | 4" | 6" | milímetro |
3 | Espessura | 430± 25 | 650± 25 | ± 1000 25 | μm |
4 | Orientaço de superfície | M-linha central inclinada 0.2°/0.35°± 0.1° do C-plano (0001) | grau | ||
5 | Plano preliminar | ± 0.2° da Um-linha central (11-20) | grau | ||
Comprimento da orientaço | 16 ± 0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5 ± 2,0 | milímetro | |
6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
7 | Curva | -10 ~ 0 | -15 ~ 0 | -30 ~ 0 | μm |
8 | Urdidura | 10 | 20 | 30 | μm |
9 | Parte anterior da aspereza | 0,5 | 0,5 | 0,5 | nanômetro |
10 | Verso da aspereza | 1,0 ± 0,3 | μm | ||
11 | Borda da bolacha | R-tipo ou T-tipo | |||
12 | Laser Mark | Personalize |
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