2 tipo lingotes da bolacha do carboneto de silicone da POLEGADA 6H-N das bolachas 330um sic de cristal de MPD 50cm
Número de modelo:6H-N
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1pcs
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Capacidade da fonte:1-50pcs/month
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De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do dimetro 150mm
pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas sic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
1. Descriço
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expanso | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refraço | nenhuns = 2,61 | nenhuns = 2,60 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da diviso | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de traço da saturaço | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificaço da carcaça do carboneto de silicone do dimetro da
pureza alta 4inch (sic)
| especificaço da carcaça do carboneto de silicone do dimetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Categoria | Categoria zero de MPD | Categoria da produço | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | ||||||
| Dimetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Espessura | 330 μm±25μm ou 430±25um | |||||||||
| Orientaço da bolacha | Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidade de Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Plano preliminar | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Comprimento liso preliminar | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Comprimento liso secundário | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientaço lisa secundária | Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal | |||||||||
| Excluso da borda | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polonês nanômetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanômetro | ||||||||||
| Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhum | 1 reservado, ≤2 milímetro | ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm | |||||||
| Encantar placas pela luz da alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤2% | Área cumulativa ≤5% | |||||||
| Riscos pela luz da alta intensidade | 3 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | |||||||
| microplaqueta da borda | Nenhum | 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um | 5 reservados, ≤1 milímetro cada um | |||||||
CATÁLOGO TAMANHO COMUM
4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic 2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H | 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
6H N-tipo sic bolacha 2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H | Tamanho de Customzied para 2-6inch |
Sic aplicações
Áreas de aplicaço
- 1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
>Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza,
antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.
2 tipo lingotes da bolacha do carboneto de silicone da POLEGADA 6H-N das bolachas 330um sic de cristal de MPD 50cm
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