Prima da bolacha do carboneto de silicone da pureza alta/bolachas do manequim/ultra da categoria 4H-Semi sic para o dispositivo 5G
Número de modelo:4 polegadas - pureza alta
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte:1-50pcs/month
Tempo de entrega:1-6weeks
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes:
No 38 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Bolachas das carcaças do único cristal de carboneto de silicone do dimetro 150mm da pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic), dos lingotes carcaças sic de cristal do semicondutor sic, de silicone de carboneto do Wafer/de cristal de Customzied do como-corte bolachas sic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
PROPRIEDADES do único cristal 4H-SiC
- Parmetros da estrutura: a=3.073Å c=10.053Å
- Empilhando a sequência: ABCB
- Dureza de Mohs: ≈9.2
- Densidade: 3,21 g/cm3
- Therm. Coeficiente da expanso: 4-5×10-6/K
- Índice da refraço: ne= 2,66 do no= 2,61
- Constante dielétrica: 9,6
- Condutibilidade térmica: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N-tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Condutibilidade térmica: a~4.9 W/cm·K@298K
- (Semi-isolamento) c~3.9 W/cm·K@298K
- Faixa-Gap: 3,23 eV Faixa-Gap: eV 3,02
- Campo bonde da diviso: 3-5×10 6V/m
- Velocidade de traço da saturaço: 2.0×105m/
Especificaço da carcaça do carboneto de silicone do dimetro da pureza alta 4inch (sic)
4 especificações da carcaça do carboneto de silicone da pureza alta 4H da polegada de dimetro
PROPRIEDADE DA CARCAÇA | Categoria da produço | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim |
Dimetro | 100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros | ||
Orientaço de superfície | {0001} ±0.2° | ||
Orientaço lisa preliminar | <11->20> ̊ do ± 5,0 | ||
Orientaço lisa secundária | 90,0 ̊ CW do ̊ preliminar do ± 5,0, silicone de face para cima | ||
Comprimento liso preliminar | 32,5 milímetros ±2.0 milímetro | ||
Comprimento liso secundário | 18,0 milímetros ±2.0 milímetro | ||
Borda da bolacha | Chanfradura | ||
Densidade de Micropipe | cm2 de ≤5 micropipes/ | cm2do ≤10micropipes/ | cm2 de ≤50 micropipes/ |
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhuns permitiram | áreado ≤10% | |
Resistividade | ≥1E5 Ω·cm | (área 75%) ≥1E5 Ω·cm | |
Espessura | 350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm | ||
TTV | ≦10μm | μmdo ≦15 | |
Curva (valor absoluto) | μmdo ≦25 | μmdo ≦30 | |
Urdidura | μmdo ≦45 | ||
Revestimento de superfície | Polonês dobro do lado, CMP da cara do si (lustro do produto químico) | ||
Aspereza de superfície | Cara Ra≤0.5 nanômetro do si do CMP | N/A | |
Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhuns permitiram | ||
Microplaquetas/recortes da borda pela iluminaço difusa | Nenhuns permitiram | Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros | Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros |
Área útil total | ≥90% | ≥80% | N/A |
o *The outras especificações pode ser personalizado de acordo com as exigências de cliente
6 polegadas - de altura - pureza queisola especificações das carcaças 4H-SiC
Propriedade | Categoria de U (ultra) | Categoria de P (produço) | Categoria de R (pesquisa) | Categoria de D (manequim) |
Dimetro | 150,0 mm±0.25 milímetro | |||
Orientaço de superfície | ± 0.2° {de 0001} | |||
Orientaço lisa preliminar | <11-20> ̊ do ± 5,0 | |||
Orientaço lisa secundária | N/A | |||
Comprimento liso preliminar | 47,5 milímetros ±1.5 milímetro | |||
Comprimento liso secundário | Nenhum | |||
Borda da bolacha | Chanfradura | |||
Densidade de Micropipe | ≤1 /cm2 | ≤5 /cm2 | ≤10 /cm2 | ≤50 /cm2 |
Área de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | ≤ 10% | ||
Resistividade | ≥1E7 Ω·cm | (área 75%) ≥1E7 Ω·cm | ||
Espessura | 350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm | |||
TTV | μmdo ≦10 | |||
Curva (valor absoluto) | μmdo ≦40 | |||
Urdidura | μmdo ≦60 | |||
Revestimento de superfície | C-cara: Lustrado ótico, Si-cara: CMP | |||
Aspereza (10μm do ×10doμm) | Ra da Si-cara do CMP<> 0,5 nanômetros | N/A | ||
Quebra pela luz da alta intensidade | Nenhum | |||
Microplaquetas/recortes da borda pela iluminaço difusa | Nenhum | Qty≤2, o comprimento e largura de cada<> 1mm | ||
Área eficaz | ≥90% | ≥80% | N/A | |
* os limites dos defeitos aplicam-se superfície inteira da bolacha
exceço da área de excluso da borda. # os riscos devem ser
verificados na cara do si somente.
Sobre sic aplicações das carcaças
TAMANHO DA TERRA COMUM DO CATÁLOGO
Tipo 4H-N/bolacha/lingotes pureza alta sic 2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H |
4H queisola/bolacha pureza alta sic 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
6H N-tipo sic bolacha 2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H | Tamanho de Customzied para 2-6inch |
Vendas & serviço ao cliente
Comprar dos materiais
O departamento comprando dos materiais é responsável recolher todas as matérias primas necessárias produzir seu produto. A rastreabilidade completa de todos os produtos e materiais, incluindo a análise química e física está sempre disponível.
Qualidade
Durante e depois da fabricaço ou de fazer máquina de seus produtos, o departamento do controle da qualidade é envolvido em certificar-se que todos os materiais e tolerncias encontram ou excedem sua especificaço.
Serviço
Nós orgulhamo-nos em ter o pessoal da engenharia de vendas com sobre 5 anos de experiências na indústria do semicondutor. So treinados para responder a perguntas técnicas assim como para fornecer cotações oportunas para suas necessidades.
nós estamos em seu lado por em qualquer altura que quando você tem o problema, e resolvemo-lo em 10hours.
Prima da bolacha do carboneto de silicone da pureza alta/bolachas do manequim/ultra da categoria 4H-Semi sic para o dispositivo 5G
Inquiry Cart
0