III - Nitreto bolacha ereta livre de um GaN de 2 POLEGADAS para o dispositivo de poder da exposição da projeção do laser

Número de modelo:GaN-FS-C-U-C50-SSP 2inch
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:50pcs por mês
Tempo de entrega:1-5weeks
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Característica da bolacha de GaN

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, penso)

O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é

uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características so uniformidade altamente cristalina, boa, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN so usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para aplicações do dispositivo eletrónico do poder e da alta frequência.

 

Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorço) o ultravioleta, a luz visível e o infravermelho.

 

especificaço autônoma de 2 carcaças de GaN da polegada

 n-tipop-tipoSemi-isolamento
n [cm-3]até 1019--
p [cm-3]-até 1018-
p [cm-3]10-3 - 10-2102 - 103109 - 1012
¼ de Î [cm2 de /Vs]até 150--
Variaço total (TTV)/µm da espessura<40><40><40>
Bow/µm<10><10><10>
FWHM [arcsec] da curva de balanço do raio X, superfície epi-pronta, no ¼ m x de 100 Î régua do ¼ m de 100 Î<20>
Densidade de deslocaço [cm-2]<10>5
Misorientation/grauPor encomenda
Revestimento de superfícieComo cortado/moído
Lustrado aproximadamente
Lustrado opticamente (RMS < 3="" nm=""> Epi-pronto (RMS < 0="">

Vantagens desta especificaço 

 Curvatura menorMenos deslocaçõesPortadores mais bondes
LasersRendimentos mais altosAbaixe a tenso do ponto inicialPoder mais alto
Diodo emissor de luzMelhor eficiência (IQE)
TransistorAbaixe a corrente do escapamentoPo mais alto

Aplicaço:

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposiço de diodo emissor de luz, a detecço alta-tenso e a imagem latente,
Exposiço da projeço do laser, dispositivo de poder, etc.

 

  • Os dispositivos de alta frequência detecço alta-tenso da micro-ondas e imaginam
  • Detecço nova do ambiente da tecnologia do hidrogênio do solor da energia e medicina biológica
  • Faixa do terahertz da fonte luminosa
  • Exposiço da projeço do laser, dispositivo de poder, armazenamento da data etc.
  • exposiço Energia-eficiente do fla da cor completa da iluminaço
  • Dispositivos eletrónicos de grande eficacia do laser Projecttions

 

 

SOBRE NOSSA fábrica do OEM

 

Nossa viso da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicaço para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restriço para a aplicaço dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz da economia de energia.

- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se no, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padro tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, unio ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança do comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeço para o material?
Nós podemos fornecer relatórios do relatório e do alcance de ROHS para nossos produtos.

 

Pacote 

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