Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT
Número de modelo:6inch S-C-N
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte:500pcs por mês
Tempo de entrega:2-4 semanas
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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o tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-lubrificou a bolacha do GaAs do arsenieto de gálio
Descriço do produto
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)
PWAM desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinaço (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produço do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
- 1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.
- 2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.
- 3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.
DESCRIÇO DO PRODUTO
ESPECIFICAÇO --N-tipo bolacha do Si-entorpecente de 6 polegadas do
arsenieto de gálio de SSP/DSP LED/LD | |
Método do crescimento | VGF |
Orientaço | <100> |
Dimetro | 150,0 +/- 0,3 milímetros |
Espessura | 650um +/- 25um |
Polonês | Escolha (SSP) lustrado tomado partido |
Aspereza de superfície | Lustrado |
TTV/Bow | <10um> |
Entorpecente | Si |
Tipo da condutibilidade | N-tipo |
Resistividade (no RT) | (1.2~9.9) *10-3 ohm cm |
Densidade do poço gravura em gua forte (EPD) | Diodo emissor de luz <5000>2; LD <500> |
Mobilidade | Cm2 do diodo emissor de luz >1000/v.s; Cm2 do LD >1500/v.s |
Concentraço de portador | Diodo emissor de luz > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3 |
Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma da bolacha | Redondo (dimetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientaço de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitaço | ||||
Entorpecente | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentraço de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilidade (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Dimetro da bolacha (milímetro) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetro) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SE (milímetro) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | |
Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | Tipo do SI: Carbono | |||
Forma da bolacha | Redondo (dimetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientaço de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitaço | ||||
Resistividade (Ω.cm) | × 107 do ≥ 1 | × 108 do ≥ 1 | ||
Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Dimetro da bolacha (milímetro) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetro) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTALHE |
DE/SE (milímetro) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se no, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o
primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padro tais como a lente da bola, a lente de
powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de
trabalho após a ordem.
(2) para os produtos do fora-padro, a entrega é as 2 ou 6 semanas
de trabalho depois que você coloca a ordem.
Q: Como pagar?
T/T, Paypal, unio ocidental, MoneyGram, segurança segura do
pagamento e do comércio em Alibaba e etc….
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
Q: Você tem o relatório de inspeço para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza,
antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a
forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT
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