Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
Número de modelo:4inch SEMI
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T / União, T Ocidental, MoneyGram
Capacidade da fonte:500pcs por mês
Tempo de entrega:2-4 semanas
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
tipo bolacha de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N do GaAs do arsenieto de gálio de /Si-doped da semi-isolaço
Descriço do produto
Nosso 2' ‘a 6" ‘cristal deconduço & deisolamento & bolacha do GaAs so usados descontroladamente na aplicaço da aplicaço do circuito integrado do semicondutor & da iluminaço geral do diodo emissor de luz.
Característica e aplicaço da bolacha do GaAs
| Característica | Campo da aplicaço |
|---|---|
| Mobilidade de elétron alta | Diodos luminescentes |
| Alta frequência | Diodos láser |
| Eficiência de converso alta | Dispositivos fotovoltaicos |
| Consumo da baixa potência | Transistor de mobilidade de elétron alto |
| Diferença de faixa direta | Transistor bipolar da heterojunço |
DESCRIÇO DO PRODUTO
Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | p-tipo: Zn | n-tipo: Si | ||
Forma da bolacha | Círculo (dimetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientaço de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitaço | ||||
Entorpecente | Si (n-tipo) | Zn (p-tipo) | ||
Concentraço de portador (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilidade (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Dimetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs
Método do crescimento | VGF | |||
Entorpecente | Tipo do SI: Carbono | |||
Forma da bolacha | Círculo (dimetro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientaço de superfície * | (100) ±0.5° | |||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitaço | ||||
Resistividade (Ω.cm) | × 107 do ≥ 1 | × 108 do ≥ 1 | ||
Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Dimetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
URDIDURA (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTALHE |
DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se no, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o
primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Como pagar?
T/T, Paypal, unio ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e
segurança de comércio em Alibaba e etc….
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
Q: Você tem o relatório de inspeço para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza,
antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a
forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
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