2" de N bolacha LD/LED do GaAs DSP/SSP do arsenieto de gálio do entorpecente do si da carcaça do semicondutor semi
Número de modelo:GaAs-N-4inch
Lugar de origem:China
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N-tipo 2inch/3inch do metod de VFG, 4inch, N-tipo das bolachas do
arsenieto de gálio de 6inch dia150mm GaAs
tipo deisolamento para a microeletrônica,
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Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e
arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V
com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
O arsenieto de gálio é usado na fabricaço de dispositivos tais como
circuitos integrados da frequência de micro-ondas, monolítica
circuitos integrados da micro-ondas, diodos luminescentes
infravermelhos, diodos láser, células solares e janelas óticas. [2]
O GaAs é usado frequentemente como um material da carcaça para o
crescimento epitaxial de outros semicondutores de III-V que incluem
o arsenieto de gálio do índio,
arsenieto e outro de gálio de alumínio.
.
Característica e aplicaço da bolacha do GaAs
| Característica | Campo da aplicaço |
|---|---|
| Mobilidade de elétron alta | Diodos luminescentes |
| Alta frequência | Diodos láser |
| Eficiência de converso alta | Dispositivos fotovoltaicos |
| Consumo da baixa potência | Transistor de mobilidade de elétron alto |
| Diferença de faixa direta | Transistor bipolar da heterojunço |
Especificaço
GaAs Undoped
Especificações deisolamento do GaAs
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | Carbono |
| Bolacha Shape* | Círculo (dimetro: 2", 3", 4", e 6") |
| Orientaço de superfície ** | (100) ±0.5° |
” Bolachas *5 disponíveis mediante solicitaço
** Outras orientações talvez disponíveis mediante solicitaço
| Resistividade (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densidade do passo gravura em gua forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Dimetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| URDIDURA (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTALHE |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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