Bolacha de cristal lubrificada de fosforeto de índio do InP do Fe da carcaça S do semicondutor Zn industrial única
Número de modelo:inp 2-4inch
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3pcs
Termos do pagamento:Western Union, T/T, MoneyGram
Capacidade da fonte:100UD
Tempo de entrega:2-4 semanas
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes:
No 38 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn lubrificou o fosforeto de índio único Crystal Wafer do InP
O fosforeto de índio (InP) é um material importante do semicondutor composto com as vantagens da velocidade eletrônica alta da traço do limite, da boa resistência de radiaço e da boa condutibilidade térmica. Apropriado para a alta frequência, a alta velocidade, dispositivos da micro-ondas do poder superior e circuitos integrados de fabricaço. É amplamente utilizada no a iluminaço de circuito integrado, a comunicaço de micro-ondas, a comunicaço da fibra ótica, as células solares, a orientaço/navegaço, o satélite e os outros campos de aplicações civis e militares.
a lata do zmkj oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que so crescidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinaço) como a categoria epi-pronta ou mecnica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientaço diferente (111) ou (100).
O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica quela do GaAs e maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reaço do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinaço direta dos elementos refinados na alta temperatura e na presso, ou pela decomposiço térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citaço necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
| Processamento da bolacha do InP | |
| Cada lingote é cortado nas bolachas que so dobradas, lustrado e na superfície preparada para a epitaxia. O processo total é detalhado abaixo. | |
| Especificaço e identificaço lisas | A orientaço é indicada nas bolachas por dois planos (por muito tempo lisos para a orientaço, o plano pequeno para a identificaço). O padro de E.J. (entre a Europa e o Japo) é usado geralmente. A configuraço lisa alternativa (E.U.) é usada na maior parte para Ø 4" bolachas. |
| Orientaço do boule | As bolachas exatas (100) ou misoriented so oferecidas. |
| Preciso da orientaço de DE | Em resposta s necessidades da indústria optoelectronic, nós bolachas das ofertas com preciso excelente do da orientaço: < 0=""> |
| Perfil da borda | Há duas especs. comuns: borda química que processa ou que processa mecnico da borda (com um moedor da borda). |
| Polonês | As bolachas so lustradas por meio de um processo produto-mecnico tendo por resultado uma superfície plana, dano-livre. nós fornecemos bolachas lustradas e único-lado lustradas do dobro-lado (com verso dobrado e gravado). |
| Preparaço de superfície e empacotamento finais | As bolachas atravessam muitas etapas químicas remover o óxido
produzido durante o lustro e criar uma superfície limpa com a
camada estável e uniforme do óxido que esto pronta para o
crescimento epitaxial - superfície epiready e que reduz elementos
de traço a extremamente - baixos níveis. Após a inspeço final, as
bolachas so empacotadas em uma maneira que mantenha a limpeza de
superfície. As instruções específicas para a remoço do óxido esto disponíveis para todos os tipos das tecnologias epitaxial (MOCVD, MBE). |
| Banco de dados | Como parte de nosso programa estatístico da gesto qualidade controle de processos/total, o banco de dados extensivo que grava as propriedades elétricas e mecnicas para cada lingote assim como análise de cristal do qualidade e a de superfície das bolachas está disponível. Em cada fase de fabricaço, o produto é inspecionado antes de passar fase seguinte para manter um nível elevado de consistência da qualidade da bolacha bolacha e do boule ao boule. |
o pecification do s para 2-4inch
Nossas outras bolachas dos produtos relacionados
bolachas da safira sic bolachas Bolachas do GaAs
Sobre nossa empresa
SHANGHAI CO. DE COMÉRCIO FAMOSO, LTD. localiza na cidade de
Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada
na cidade de Wuxi em 2014.
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em
bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico
custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico,
na ótica eletrónica e nos muitos outros campos. Nós temos
trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as
universidades, as instituições de pesquisa e as empresas
ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus
projetos do R&D.
É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos
todos os clientes por nossos bons reputatiaons.
Bolacha de cristal lubrificada de fosforeto de índio do InP do Fe da carcaça S do semicondutor Zn industrial única
Inquiry Cart
0