TIPO bolachas de cristal Monocrystalline de 2-4inch N/P das carcaças de InAs da carcaça do semicondutor

carcaça único Crystal Monocrystal de GaSb do antimonieto de gálio 2-4inch para o semicondutor

InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb e outros materiais da heterojunço podem ser crescidos no único cristal de InAs como a carcaça, e um dispositivo luminescente infravermelho com um comprimento de onda do μm 2 a 14 pode ser fabricado. O material da estrutura do superlattice de AlGaSb pode igualmente epitaxially ser crescido usando a única carcaça de cristal de InAs. laser Meados de-infravermelho da cascata do quantum. Estes dispositivos infravermelhos têm boas perspectivas da aplicaço nos campos da monitoraço do gás, de uma comunicaço de pequenas perdas da fibra, etc. além, os únicos cristais de InAs têm a mobilidade de elétron alta e so materiais ideais para fazer dispositivos de salo.

Aplicações:
O único cristal de InAs pode ser usado como um material da carcaça para crescer um material da heterostrutura tal como InAsSb/InAsPSb ou InAsPSb para fabricar um dispositivo luminescente infravermelho que tem um comprimento de onda do μm 2-12. O material da estrutura do superlattice de InAsPSb pode igualmente epitaxially ser crescido usando a única carcaça de cristal de InAs para fabricar um laser meados de-infravermelho da cascata do quantum. Estes dispositivos infravermelhos têm boas perspectivas da aplicaço no campo da detecço do gás e de uma comunicaço de pequenas perdas da fibra. Além, os únicos cristais de InAs têm a mobilidade de elétron alta e so um material ideal para fazer dispositivos de salo.

Características:
1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e desempenho elétrico estável.
2, usando o instrumento direcional do raio X para a orientaço precisa, o desvio da orientaço de cristal so somente ±0.5°
3, a bolacha so lustrados (CMP) pela tecnologia de lustro mecnica química, aspereza de superfície <0> 4, para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”
5, de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações