Espessura Epitaxial lustrada da bolacha 1mm do carboneto de silicone de 100mm SIC para o crescimento do lingote
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espessura da bolacha 1mm da semente de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para o crescimento do lingote
De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do dimetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas da categoria 4H-N 1.5mm SIC do wafersProduction 4inch sic para o cristal de semente
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
1. Descriço
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expanso | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refraço | nenhuns = 2,61 | nenhuns = 2,60 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da diviso | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de traço da saturaço | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificaço da carcaça do carboneto de silicone do dimetro de 4H-N 4inch (sic)
| especificaço da carcaça do carboneto de silicone do dimetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Categoria | Categoria zero de MPD | Categoria da produço | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | ||||||
| Dimetro | 100. mm±0.2mm | |||||||||
| Espessura | 1000±25um ou a outra espessura personalizada | |||||||||
| Orientaço da bolacha | Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidade de Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤2 | ≤5cm-2 | cm2 ≤30 | ||||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| Plano preliminar | {10-10} ±5.0° ou forma redonda | |||||||||
| Comprimento liso preliminar | 18,5 mm±2.0 milímetro ou forma redonda | |||||||||
| Comprimento liso secundário | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientaço lisa secundária | Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal | |||||||||
| Excluso da borda | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polonês nanômetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanômetro | ||||||||||
| Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhum | 1 reservado, ≤2 milímetro | ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm | |||||||
| Encantar placas pela luz da alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤2% | Área cumulativa ≤5% | |||||||
| Riscos pela luz da alta intensidade | 3 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do dimetro 1×wafer | |||||||
| microplaqueta da borda | Nenhum | 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um | 5 reservados, ≤1 milímetro cada um | |||||||
Mostra da exposiço da produço
CATÁLOGO TAMANHO COMUM Em NOSSA LISTA do INVENTÁRIO
4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic 2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H | 4H queisola/bolacha pureza alta sic 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
6H N-tipo sic bolacha 2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H | Tamanho de Customzied para 2-6inch |
Sic aplicações
Áreas de aplicaço
- 1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
- diodos, IGBT, MOSFET
- 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
>Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza,
antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.
Espessura Epitaxial lustrada da bolacha 1mm do carboneto de silicone de 100mm SIC para o crescimento do lingote
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