pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth

Number modelo:pó da pureza alta sic
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:10Kg
Termos do pagamento:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:1-50pcs/month
Prazo de entrega:2-3weeks
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes: No 38 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

 

a pureza alta 99,9995% pulveriza sic para 4H-N e o crescimento 4h-semi sic de cristal un-lubrificado

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 
 

Aplicaço de sic

Sic de cristal é um material largo-bandgap importante do semicondutor. Devido a sua condutibilidade térmica alta, taxa alta da traço do elétron, força de campo alta da diviso e propriedades físicas e químicas estáveis, é amplamente utilizado na alta temperatura, em dispositivos eletrónicos da alta frequência e do poder superior. Há mais de 200 tipos sic de cristais que têm sido descobertos até agora. Entre eles, os cristais 4H- e 6H-SiC foram fornecidos comercialmente. Todos pertencem ao grupo do ponto de 6mm e têm um efeito ótico no-linear da segundo-ordem. Semi-isolando sic cristais seja visível e médio. A faixa infravermelha tem um transmitncia mais alto. Consequentemente, os dispositivos optoelectronic baseados sic em cristais so muito apropriados para aplicações em ambientes extremos tais como a alta temperatura e a alta presso. o cristal 4H-SiC deisolamento foi provado ser um novo tipo do cristal ótico no-linear meados de-infravermelho. Comparado com os cristais óticos no-lineares meados de-infravermelhos de uso geral, sic o cristal tem uma diferença de faixa larga (3.2eV) devido ao cristal. , Condutibilidade térmica alta (490W/m·K) e grande energia bond (5eV) entre o SIC, de modo que sic o cristal tenha um ponto inicial de dano alto do laser. Consequentemente, o cristal 4H-SiC deisolamento como um cristal no-linear da converso de frequência tem vantagens óbvias em outputting o laser meados de-infravermelho de alta potência. Assim, no campo de lasers de alta potência, sic de cristal está um cristal ótico no-linear com perspectivas largas da aplicaço. Contudo, a pesquisa atual baseada nas propriedades no-lineares sic de cristais e de aplicações relativas no está ainda completa. Este trabalho toma as propriedades óticas no-lineares dos cristais 4H- e 6H-SiC como o índice principal da pesquisa, e aponta-as resolver sic alguns problemas básicos de cristais em termos das propriedades óticas no-lineares, para promover sic a aplicaço de cristais no campo do sistema ótico no-linear. Uma série de trabalho relacionado foi realizada teoricamente e experimentalmente, e os resultados de pesquisa principais so como segue: Primeiramente, as propriedades óticas no-lineares básicas de cristais so estudadas sic. A refraço variável da temperatura dos cristais 4H- e 6H-SiC nas faixas visíveis e meados de-infravermelhas (404.7nm~2325.4nm) foi testada, e a equaço de Sellmier da temperatura variável R.I. foi cabida. A teoria modelo do único oscilador foi usada para calcular a disperso do coeficiente thermo-ótico. Uma explicaço teórica é dada; a influência do efeito thermo-ótico na harmonizaço de fase dos cristais 4H- e 6H-SiC é estudada. Os resultados mostram que a harmonizaço de fase dos cristais 4H-SiC no está afetada pela temperatura, quando os cristais 6H-SiC ainda no puderem conseguir a harmonizaço de fase da temperatura. circunstncia. Além, o fator de duplicaço da frequência de semi-isolar o cristal 4H-SiC foi testado pelo método da franja do fabricante. Em segundo, a geraço do parmetro do femtosegundo e o desempenho óticos da amplificaço do cristal 4H-SiC so estudados. A harmonizaço de fase, a velocidade de grupo que combinam, o melhor ngulo no-collinear e melhor o comprimento de cristal do cristal 4H-SiC bombeados pelo laser do femtosegundo 800nm so analisados teoricamente. Usando o laser do femtosegundo com um comprimento de onda da saída 800nm pelo si: O laser da safira como a fonte da bomba, usando a tecnologia paramétrica ótica de duas fases da amplificaço, usando um cristal 4H-SiC deisolamento 3.1mm grosso como um cristal ótico no-linear, sob a harmonizaço de fase de 90°, pela primeira vez, um laser meados de-infravermelho com um comprimento de onda do centro de 3750nm, uma única energia de pulso até 17μJ, e uma largura de pulso de 70fs foi obtido experimentalmente. O laser do femtosegundo 532nm é usado como a luz da bomba, e o sic de cristal é 90° fase-combinado para gerar a luz de sinal com um comprimento de onda do centro da saída de 603nm com os parmetros óticos. Em terceiro lugar, o desempenho de alargamento espectral de semi-isolar 4H-SiC de cristal como um meio ótico no-linear é estudado. Os resultados experimentais mostram que a largura do metade-máximo dos aumentos alargados do espectro com o comprimento de cristal e o incidente da densidade de poder do laser no cristal. O aumento linear pode ser explicado pelo princípio de modulaço da auto-fase, que é causada principalmente pela diferença do R.I. do cristal com a intensidade da luz de incidente. Ao mesmo tempo, analisa-se que na escala de tempo do femtosegundo, o R.I. no-linear sic do cristal pode principalmente ser atribuído aos elétrons encadernados no cristal e aos elétrons livres na faixa de conduço; e a tecnologia da z-varredura é usada para estudar preliminarmente o sic de cristal sob o laser 532nm. Absorço no-linear e no

desempenho linear do R.I.

 

PropriedadesunidadeSiliconeSicGaN
Largura de BandgapeV1,123,263,41
Campo da divisoMV/cm0,232,23,3
Mobilidade de elétroncm^2/Vs14009501500
Valocity da traço10^7 cm/s12,72,5
Condutibilidade térmicaW/cmK1,53,81,3

 

 

Sobre ZMKJ Empresa

 

ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geraço, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas bolacha de silicone e bolacha do GaAs, sic bolacha so mais apropriadas para a aplicaço do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do dimetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Detalhe:

 

  1. FAQ:
  2. Q: Que é a maneira de transporte e de custo?
  3. : (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
  4. (2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se no, nós poderíamos o ajudar aos enviar e
  5. O frete é de acordo com o pagamento real.
  6.  
  7. Q: Como pagar?
  8. : Depósito de T/T 100% antes da entrega.
  9.  
  10. Q: Que é seu MOQ?
  11. : (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.
  12. (2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.
  13.  
  14. Q: Que é o prazo de entrega?
  15. : (1) para os produtos padro
  16. Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.
  17. Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.
  18.  
  19. Q: Você tem produtos padro?
  20. : Nossos produtos padro no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

 

China pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth supplier

pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth

Inquiry Cart 0