Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para a janela da safira da bolacha da safira dos dispositivos de 5G BAW
Number modelo:AlN-safira 2inch
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:50PCS/Month
Prazo de entrega:em 30days
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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a safira de 2inch 4iinch 6Inch baseou o filme de AlN dos moldes de AlN na bolacha da safira da janela da safira da carcaça da safira
Aplicações de Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites
e no podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do
semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap
largo, condutibilidade térmica alta, diviso alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corroso/radiaço, e
é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF),
os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente,
carcaça de AlN so
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV,
dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G
SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteço
ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impresso,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro,
tais como a purificaço/esterilizaço UV, cura UV, photocatalysis,
coun?
detecço do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicaço
médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecço aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias
proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a
única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada
AlN
moldes na capacidade em grande escala da produço industrial com
capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicaço UVC-LED, 5G sem fio, dos
detectores UV e dos sensores etc.
Nosso OEM desenvolveu séries de tecnologias
proprietárias e -estado-- dos reatores e das facilidades do
crescimento da arte PVT a
fabrique tamanhos diferentes das bolachas monocristalinas de alta
qualidade de AlN, temlpates de AlN. Nós somos um do poucos
mundo-principais
empresas da alto-tecnologia que próprio capa completo da fabricaço
de AlN? bilities para produzir os boules e as bolachas de alta
qualidade de AlN, e a fornecê-los
profes? serviços do sional e soluções da volta-chave nossos
clientes, arranjados do projeto do reator e do hotzone do
crescimento,
modelagem e simulaço, projeto de processo e otimizaço, crescimento
de cristal,
characteriza wafering e material? tion. Até o abril de
2019, aplicaram mais de 27 patentes (que incluem o PCT).
Especificaço
Especificaçoaracteristic do Ch
A outra especificaço do relaterd 4INCH GaN Template
| Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artigo | Un-lubrificado | N-tipo | Alto-lubrificado N-tipo |
| Tamanho (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estrutura da carcaça | GaN na safira (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Padro: Opço de SSP: DSP) | ||
| Espessura (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Personalizado | ||
| Tipo da conduço | Un-lubrificado | N-tipo | N-tipo Alto-lubrificado |
| Resistividade (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity | ≤±10% (4") | ||
| Densidade de deslocaço (cm2) | ≤5×108 | ||
| Área de superfície útil | >90% | ||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100. | ||
| Estrutura de cristal | Wurtzite |
| Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo da faixa de conduço | Bandgap direto |
| Densidade (g/cm3) | 3,23 |
| Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
| Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
| Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
| Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
| Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elétrico da diviso (MV/cm) | 11,7 |
Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para a janela da safira da bolacha da safira dos dispositivos de 5G BAW
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