5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm
Number modelo:Único cristal UTI-AlN-10x10
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10PCS/Month
Prazo de entrega:em 30days
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Shanghai Shanghai China
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
10x10mm ou dimetro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, bolachas de cristal de AlN da carcaça de dia50.8mm AlN únicas
Aplicações de Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites
e no podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do
semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap
largo, condutibilidade térmica alta, diviso alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corroso/radiaço, e
é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF),
os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente,
carcaça de AlN so
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV,
dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G
SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteço
ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impresso,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro,
tais como a purificaço/esterilizaço UV, cura UV, photocatalysis,
coun?
detecço do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicaço
médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecço aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias
proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a
única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada
AlN
moldes na capacidade em grande escala da produço industrial com
capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicaço UVC-LED, 5G sem fio, dos
detectores UV e dos sensores etc.
Nós fornecemos atualmente clientes o nitrogênio de alta qualidade
estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm no-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm no padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm no-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm no padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.
Especificaço característica
- Modelo Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
- Dimetro 10x10±0.5mm;
- Espessura da carcaça (µm) 400 ± 50
- Orientaço C-linha central [0001] +/- 0.5°
Categoria de qualidade S-categoria (super) P-categoria (produço) R-categoria (pesquisa)
- Quebras Nenhum Nenhum <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro) CMP da Al-cara<0>
- Área útil 90%
- A absorvência<50>
- primeiro da orientaço do comprimento {10-10} ±5°;
- TTV (µm) ≤30
- Curva (µm) ≤30
- Urdidura (µm) -30~30
- Nota: Estes resultados da caracterizaço podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados
elemento da impureza Fe do Na W.P.S Si do si B de C O
PPMW
27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
| Estrutura de cristal | Wurtzite |
| Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo da faixa de conduço | Bandgap direto |
| Densidade (g/cm3) | 3,23 |
| Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
| Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
| Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
| Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
| Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elétrico da diviso (MV/cm) | 11,7 |
5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm
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