4Inch personalizou uma linha central Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP
Número do modelo:2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 12 polegadas
Lugar de origem:porcelana
Quantidade de ordem mínima:25pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:1000pcs pelo mês
Prazo de entrega:1-4weeks
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Shanghai Shanghai China
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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2inch /3inch 4inch /5inch/6inch C-axis/a axis/ r axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thickness2inch 4inch customized A axis sapphire wafers for epitaxial growth 430um SSP DSP
Sobre o cristal sintético de safira
Devido rede menos desajustada e s propriedades químicas e físicas estáveis, a wafer de safira ((Al2O3) é o substrato popular para nitritos III-V, supercondutores e epi-filmes magnéticos.Eles so amplamente utilizados em GaN e crescimento epitaxial de filme fino, silício sobre safira, mercado de LED e indústria óptica.
A ZMSH é uma fornecedora profissional de wafers de safira que fabrica wafers de safira polida de cristal único de alta pureza de 99,999% para epitaxia.E os nossos substratos de safira (Al2O3) apresentam um excelente acabamento de superfície, que é o parmetro LED chave.
Se você está procurando por fornecedores confiáveis de wafer de safira, por favor sinta-se vontade para entrar em contato conosco.
Propriedades do safiro para A-PLANE (11-20) WAFERAS DE SAFIR
As bolinhas de safira têm uma constante dielétrica uniforme e uma característica altamente isolante, por isso so geralmente usadas para aplicações microeletrônicas híbridas.Esta orientaço também pode ser usada para o crescimento de supercondutores de alta.
Por exemplo, TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, a película fina supercondutora hetero-epitaxial é cultivada em um substrato composto de óxido de cério de safira (CeO2).A disponibilidade de acabamentos de superfície de nível Angstrom permite interligações de linha fina de módulos híbridos.
Especificações das Wafers de Safira A-Plane (11-20)
| Ponto | 2 polegadas de plano A ((11-20) 430μm Wafers de safira | |
| Materiais cristalinos | 99,999%, Alta pureza, Al2O3 monocristalino | |
| Grau | Prime, Epi-Ready | |
| Orientaço da superfície | A-plano ((11-20) | |
| Dimetro | 500,8 mm +/- 0,1 mm | |
| Espessura | 430 μm +/- 25 μm | |
| Orientaço plana primária | C-plano ((0001) +/- 0,2° | |
| Duraço plana primária | 16.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Polido de lado único | Superfície frontal | Epi-polido, Ra < 0,5 nm (por AFM) |
| (SSP) | Superfície traseira | Moagem fina, Ra = 0,8 μm a 1,2 μm |
| Lustrado de dois lados | Superfície frontal | Epi-polido, Ra < 0,5 nm (por AFM) |
| (DSP) | Superfície traseira | Epi-polido, Ra < 0,5 nm (por AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| Arco-íris | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| Limpeza / Embalagem | Classe 100 Limpeza de salas limpas e embalagens a vácuo, | |
| 25 peças numa embalagem de cassete ou numa embalagem de peça única. | ||
Nota: Podem ser fornecidas placas e substratos de safira personalizados de qualquer orientaço e espessura.
CATALOGO LISTA DE ESTADOS
| 2 polegadas. | DSP C-AXIS 0,1 mm/0,175 mm/0,2 mm/0,3 mm/0,4 mm/0,5 mm/1,0 mmt Eixo C do SSP 0,2/0,43 mm (DSP e SSP) Orifícios de safira de plano A (1120) Wafer de safira de plano R (1102) Wafer de safira de plano M (1010)
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| 3 polegadas | DSP/SSP eixo C 0,43 mm/0,5 mm
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| 4 polegadas | dsp eixo c 0,4 mm/ 0,5 mm/ 1,0 mm Ssp eixo c 0,5 mm/0,65 mm/1,0 mmt
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| 6 polegadas. | Ssp eixo c 1,0 mm/1,3 mm
dsp eixo c 0,65 mm/0,8 mm/1,0 mmt
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Pagamento / Envio
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4Inch personalizou uma linha central Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP
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