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N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial
A bolacha do GaAs (arsenieto de gálio) é uma alternativa vantajosa ao silicone que tem evoluído na indústria do semicondutor. Menos consumo de potência e mais eficiência oferecidos por bolachas deste GaAs esto atraindo os jogadores do mercado para adotar estas bolachas, aumentando desse modo a procura para a bolacha do GaAs. Geralmente, esta bolacha é usada para fabricar semicondutores, diodos luminescentes, termômetros, circuitos eletrônicos, e barômetros, além de encontrar a aplicaço na fabricaço de ligas de baixa temperatura de fuso. Como o semicondutor e o circuito eletrônico as indústrias continuam a tocar em picos novos, o mercado do GaAs esto crescendo. O arsenieto de gálio da bolacha do GaAs tem o poder de gerar o laser da eletricidade. O cristal especialmente policristalino e único é o tipo dois principal de bolachas do GaAs, que so utilizadas na produço da microeletrônica e de ótica eletrónica para criar o LD, o diodo emissor de luz, e os circuitos da micro-ondas. Consequentemente, a escala extensiva de aplicações do GaAs, particularmente na ótica eletrónica e na indústria da microeletrônica está criando um influxo da procura no mercado da bolacha dos theGaAs. Previamente, os dispositivos optoelectronic foram usados principalmente em uma escala larga em comunicações óticas de curto prazo e em periféricos de computador. Mas agora, esto na procura para algumas aplicações emergentes tais como o lidar, a realidade aumentada, e o reconhecimento de cara. LEC e VGF so dois métodos populares que esto melhorando a produço de bolacha do GaAs com uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. A mobilidade de elétron, a única junço faixa-Gap, uma eficiência mais alta, a resistência do calor e de umidade, e a flexibilidade superior so as cinco vantagens distintas do GaAs, que esto melhorando a aceitaço de bolachas do GaAs na indústria do semicondutor.
O que nós fornecemos:
Artigo | Y/N | Artigo | Y/N | Artigo | Y/N |
Cristal do GaAs | sim | Categoria eletrônica | sim | Tipo de N | sim |
Placa do GaAs | sim | Categoria infravermelha | sim | Tipo de P | sim |
Carcaça do GaAs | sim | Categoria da pilha | sim | Undoped | sim |
Bolacha do epi do GaAs | sim | ||||
| GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz | ||
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da conduço | SC/n-type | |
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Silicone | |
| Bolacha Diamter | 2, 3 & 4 polegadas | Lingote ou como-corte disponível |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° fora de (110) | O outro misorientation disponível |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentraço de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistividade no RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilidade | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Gravura em gua forte Pit Density | <500> | |
| Marcaço do laser | mediante solicitaço | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Espessura | 220~350um | |
| Epitaxia pronta | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
GaAs (arsenieto de gálio), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
| ||
Artigo | Especificações | Observações |
Tipo da conduço | Isolamento | |
Método do crescimento | VGF | |
Entorpecente | Undoped | |
Bolacha Diamter | 2, 3, 4 & 6 polegadas | Lingote disponível |
Crystal Orientation | (100) +/- 0.5° | |
DE | EJ, E.U. ou entalhe | |
Concentraço de portador | n/a | |
Resistividade no RT | >1E7 Ohm.cm | |
Mobilidade | >5000 cm2/V.sec | |
Gravura em gua forte Pit Density | <8000> | |
Marcaço do laser | mediante solicitaço | |
Revestimento de superfície | P/P | |
Espessura | 350~675um | |
Epitaxia pronta | Sim | |
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
| No. | Artigo | Especificaço padro | |||||
| 1 | Tamanho | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Dimetro | milímetro | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
| 3 | Método do crescimento | VGF | |||||
| 4 | Lubrificado | Un-lubrificado, ou Si-lubrificado, ou Zn-lubrificado | |||||
| 5 | Maestro Type | N/A, ou SC/N, ou SC/P | |||||
| 6 | Espessura | μm | (220-350) ±20 ou (350-675) ±25 | ||||
| 7 | Crystal Orientation | <100>±0.5 ou 2 fora | |||||
| Opço da orientaço de OF/IF | EJ, E.U. ou entalhe | ||||||
| Plano da orientaço (DE) | milímetro | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Plano da identificaço (SE) | milímetro | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Resistividade | (No para Mecnico Categoria) | Ω.cm | (1-30) ‘107, ou (0.8-9) ‘10-3, ou 1' 10-2-10-3 | |||
| Mobilidade | cm2/v.s | ≥ 5.000, ou 1,500-3,000 | |||||
| Concentraço de portador | cm-3 | (0.3-1.0) x1018, ou (0.4-4.0) x1018, ou como SEMI | |||||
| 9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
| Curva | μm | ≤10 | |||||
| Urdidura | μm | ≤10 | |||||
| EPD | cm-2 | ≤ 8.000 ou ≤ 5.000 | |||||
| Parte dianteira/superfície traseira | P/E, P/P | ||||||
| Perfil da borda | Como SEMI | ||||||
| Contagem de partícula | <50>0,3 μm, contagens/bolachas), ou COMO SEMI | ||||||
| 10 | Laser Mark | Verso ou mediante solicitaço | |||||
| 11 | Empacotamento | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |||||
Detalhe do pacote: