Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial

Number modelo:S-C-N
Lugar de origem:NC
Quantidade de ordem mínima:3pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Prazo de entrega:2-6weeks
Detalhes de empacotamento:único recipiente da bolacha sob o quarto desinfetado
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Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes: No 38 Horas
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N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial

 

A bolacha do GaAs (arsenieto de gálio) é uma alternativa vantajosa ao silicone que tem evoluído na indústria do semicondutor. Menos consumo de potência e mais eficiência oferecidos por bolachas deste GaAs esto atraindo os jogadores do mercado para adotar estas bolachas, aumentando desse modo a procura para a bolacha do GaAs. Geralmente, esta bolacha é usada para fabricar semicondutores, diodos luminescentes, termômetros, circuitos eletrônicos, e barômetros, além de encontrar a aplicaço na fabricaço de ligas de baixa temperatura de fuso. Como o semicondutor e o circuito eletrônico as indústrias continuam a tocar em picos novos, o mercado do GaAs esto crescendo. O arsenieto de gálio da bolacha do GaAs tem o poder de gerar o laser da eletricidade. O cristal especialmente policristalino e único é o tipo dois principal de bolachas do GaAs, que so utilizadas na produço da microeletrônica e de ótica eletrónica para criar o LD, o diodo emissor de luz, e os circuitos da micro-ondas. Consequentemente, a escala extensiva de aplicações do GaAs, particularmente na ótica eletrónica e na indústria da microeletrônica está criando um influxo da procura no mercado da bolacha dos theGaAs. Previamente, os dispositivos optoelectronic foram usados principalmente em uma escala larga em comunicações óticas de curto prazo e em periféricos de computador. Mas agora, esto na procura para algumas aplicações emergentes tais como o lidar, a realidade aumentada, e o reconhecimento de cara. LEC e VGF so dois métodos populares que esto melhorando a produço de bolacha do GaAs com uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. A mobilidade de elétron, a única junço faixa-Gap, uma eficiência mais alta, a resistência do calor e de umidade, e a flexibilidade superior so as cinco vantagens distintas do GaAs, que esto melhorando a aceitaço de bolachas do GaAs na indústria do semicondutor.

 

 

O que nós fornecemos:

Artigo
Y/N
Artigo
Y/N
Artigo
Y/N
Cristal do GaAs
sim
Categoria eletrônica
sim
Tipo de N
sim
Placa do GaAs
sim
Categoria infravermelha
sim
Tipo de P
sim
Carcaça do GaAs
sim
Categoria da pilha
sim
Undoped
sim
Bolacha do epi do GaAs
sim
 
Detalhe da especificaço:
 
GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz
ArtigoEspecificaçõesObservações
Tipo da conduçoSC/n-type 
Método do crescimentoVGF 
EntorpecenteSilicone 
Bolacha Diamter2, 3 & 4 polegadasLingote ou como-corte disponível
Crystal Orientation(100) 2°/6°/15° fora de (110)O outro misorientation disponível
DEEJ ou E.U. 
Concentraço de portador(0.4~2.5) E18/cm3 
Resistividade no RT(1.5~9) E-3 Ohm.cm 
Mobilidade1500~3000 cm2/V.sec 
Gravura em gua forte Pit Density<500> 
Marcaço do lasermediante solicitaço 
Revestimento de superfícieP/E ou P/P 
Espessura220~350um 
Epitaxia prontaSim 
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha 

GaAs (arsenieto de gálio), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

 

Artigo
Especificações
Observações
Tipo da conduço
Isolamento
 
Método do crescimento
VGF
 
Entorpecente
Undoped
 
Bolacha Diamter
2, 3, 4 & 6 polegadas
Lingote disponível
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
 
DE
EJ, E.U. ou entalhe
 
Concentraço de portador
n/a
 
Resistividade no RT
>1E7 Ohm.cm
 
Mobilidade
>5000 cm2/V.sec
 
Gravura em gua forte Pit Density
<8000>
 
Marcaço do laser
mediante solicitaço
 
Revestimento de superfície
P/P
 
Espessura
350~675um
 
Epitaxia pronta
Sim
 
Pacote
Única recipiente ou gaveta da bolacha
 
No.ArtigoEspecificaço padro
1Tamanho 2"3"4"6"
2Dimetromilímetro50.8±0.276.2±0.2100±0.2150±0.5
3Método do crescimento VGF
4Lubrificado Un-lubrificado, ou Si-lubrificado, ou Zn-lubrificado
5Maestro Type N/A, ou SC/N, ou SC/P
6Espessuraμm(220-350) ±20 ou (350-675) ±25
7Crystal Orientation <100>±0.5 ou 2 fora
Opço da orientaço de OF/IF EJ, E.U. ou entalhe
Plano da orientaço (DE)milímetro16±122±132±1-
Plano da identificaço (SE)milímetro8±111±118±1-
8Resistividade(No para
Mecnico
Categoria)
Ω.cm(1-30) ‘107, ou (0.8-9) ‘10-3, ou 1' 10-2-10-3
Mobilidadecm2/v.s≥ 5.000, ou 1,500-3,000
Concentraço de portadorcm-3(0.3-1.0) x1018, ou (0.4-4.0) x1018,
ou como SEMI
9TTVμm≤10
Curvaμm≤10
Urdiduraμm≤10
EPDcm-2≤ 8.000 ou ≤ 5.000
Parte dianteira/superfície traseira P/E, P/P
Perfil da borda Como SEMI
Contagem de partícula <50>0,3 μm, contagens/bolachas),
ou COMO SEMI
10Laser Mark Verso ou mediante solicitaço
11Empacotamento Única recipiente ou gaveta da bolacha

 

Detalhe do pacote:

 

 

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Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial

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