8 micro diodo emissor de luz da polegada AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For
Number modelo:si Epiwafer de 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-em-hora
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:50PCS pelo mês
Prazo de entrega:1-5weeks
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
8 polegadas 6 polegadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para Micro-LED para aplicaço de RF
Características da wafer GaN
- III-nitreto ((GaN,AlN,InN)
O Nitruro de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.
Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabricado com o método HVPE original e tecnologia de processamento de wafer, que foi originalmente desenvolvido há mais de 10 anos na China.As características so cristalinas.Os substratos de GaN so utilizados para muitos tipos de aplicações, para LED branco e LD ((violeta, azul e verde).O desenvolvimento avançou para aplicações de dispositivos electrónicos de potência e alta frequência.
A largura de banda proibida (emisso e absorço de luz) abrange a luz ultravioleta, a luz visível e a infravermelha.
Aplicaço
O GaN pode ser utilizado em muitas áreas, como tela LED, detecço e
imagem de alta energia,
Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc.
- Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc. Armazenamento de dados
- Iluminaço energéticamente eficiente
- Projecções a laser Dispositivos eletrônicos de alta eficiência
- Dispositivos de microondas de alta frequência Detecço e imaginaço de alta energia
- Novas energias solor tecnologia de hidrogénio Ambiente Detecço e medicina biológica
- Faixa de terahertz da fonte luminosa
Especificaço do produto
| Números | Valores/Ámbito de aplicaço |
| Substrato | Sim |
| Dimetro da bolacha | 4 ¢/ 6 ¢ / 8- No. |
| Espessura da camada epi | 4-5μm |
| Arco de wafer | < 30μm, típico |
| Morfologia da superfície | RMS < 0,5 nm em 5 × 5 μm² |
| Barreira | AlX- No.1-XN, 0 |
| Camada de tampa | In-situSiNou GaN (modo D); p-GaN (modo E) |
| Densidade 2DEG | > 9E12/cm2(20 nm Al0.25GaN) |
| Mobilidade dos elétrons | > 1800 cm2/Vs(20 nm Al0.25GaN) |
Especificaço do produto
| Números | Valores/Ámbito de aplicaço |
| Substrato | HR_Si/SiC |
| Dimetro da bolacha | 4 ¢/6 ¢SiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8HR_Si |
| Epi- espessura da camada | 2 a 3μm |
| Arco de wafer | < 30μm, típico |
| Morfologia da superfície | RMS < 0,5 nm em 5 × 5 μm² |
| Barreira | AlGaNouAlNouInAlN |
| Camada de tampa | In-situSiNou GaN |
| Números | GaN-on-Si | GaN-on-Sapphire |
| 4/ 6/ 8- No. | 2/ 4/ 6 | |
| Espessura da camada epi | < 4μm | < 7μm |
| Média Dominante/ PicoComprimento de onda | 400-420nm, 440-460nm,510-530 nm | 270-280nm, 440-460nm,510-530 nm |
| FWHM | < 20 nm para azul/próximo UV < 40 nm para o verde | < 15 nm para UVC < 25 nm para azul < 40 nm para o verde |
| Arco de wafer | < 50μm | < 180μm |
Sobre a nossa fábrica OEM
A nossa viso da empresa Factroy
forneceremos substrato de GaN de alta qualidade e tecnologia de
aplicaço para a indústria com a nossa fábrica.
O material GaN de alta qualidade é o fator de restriço para a
aplicaço de nitritos III, por exemplo, a longa vida útil
e LDs de alta estabilidade, dispositivos de micro-ondas de alta
potência e alta confiabilidade,
e LEDs de alta eficiência e poupança de energia.
-FAQ
P: O que pode fornecer logística e custo?
(1) Aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) Se você tiver seu próprio número expresso, é ótimo.
Se no, podemos ajudá-lo a entregar.
P: Qual é o prazo de entrega?
(1) Para os produtos normalizados, tais como as bolinhas de 0,33 mm
de 2 polegadas.
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 a 4 semanas úteis
após a encomenda.
P: Como pagar?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento seguro e
garantia comercial.
Q: Qual é o MOQ?
(1) Para o inventário, o MOQ é de 5pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e da técnica.
P: Tem relatório de inspecço do material?
Podemos fornecer relatórios ROHS e alcançar relatórios para os
nossos produtos.
8 micro diodo emissor de luz da polegada AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For
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