GaN-Em-safira livre GaN-Em-SIC do dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder da posição
Number modelo:GaN-FS-C-U-C50-SSP
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:50PCS pelo mês
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Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas,Wafer de GaN para LED,Wafer de Nitreto de Gálio semicondutor para ld,Modelo de GaN,Wafer de GaN mocvd,Substratos de GaN em pé livre por tamanho personalizado,Wafer de GaN de pequeno tamanho para LED,mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mmWafer GaN de 5x5 mm, 10x5 mm, Substratos GaN independentes no polares ((a-plane e m-plane)
Substratos de GaN de 4 polegadas e 2 polegadas em pé livre HVPE GaN Wafers
Características da wafer GaN
- III-nitreto ((GaN,AlN,InN)
O Nitruro de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.
Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabricado com o método HVPE original e tecnologia de processamento de wafer, que foi originalmente desenvolvido há mais de 10 anos na China.As características so cristalinas.Os substratos de GaN so utilizados para muitos tipos de aplicações, para LEDs brancos e LD ((violeta, azul e verde).O desenvolvimento avançou para aplicações de dispositivos electrónicos de potência e alta frequência.
A largura de banda proibida (emisso e absorço de luz) abrange a luz ultravioleta, a luz visível e a infravermelha.
Aplicaço
O GaN pode ser usado em muitas áreas, como tela LED, detecço e
imagem de alta energia,
Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc.
- Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc. Armazenamento de dados
- Iluminaço energéticamente eficiente
- Projecções a laser Dispositivos eletrônicos de alta eficiência
- Dispositivos de microondas de alta frequência Detecço e imaginaço de alta energia
- Novas energias solor tecnologia de hidrogénio Ambiente Detecço e medicina biológica
- Faixa de terahertz da fonte luminosa
Especificaço para as placas GaN independentes
| Tamanho | 2 " | 4" | ||
| Dimetro | 500,8 mm 士 0,3 mm | 1000,0 mm 士 0,3 mm | ||
| Espessura | 400 um 士 30 um | 450 um 士 30 um | ||
| Orientaço | (0001) Face Ga c-plano (padro); (000-1) Face N (facultativo) | |||
| 002 XRD Curva de balanço FWHM | < 100 arcsec | |||
| 102 XRD Curva de balanço FWHM | < 100 arcsec | |||
| Radius de curvatura da rede | > 10 m (medido a 80% x dimetro) | |||
| Desvio para o plano m. | 0.5° ± 0,15° em direcço a [10-10] @ centro da bolacha | |||
| Desvio para o plano ortogonal a | 0.0° ± 0,15° em direcço a [1-210] @ centro da bolacha | |||
| Direço do avio | A projeço do vetor do plano c aponta para o maior OF | |||
| Plano plano de orientaço principal | (10-10) m-plano 2° (padro); ±0,1° (facultativo) | |||
| Orientaço principal comprimento plano | 16.0 mm ± 1 mm | 32.0 mm ± 1 mm | ||
| Orientaço menor Orientaço plana | Ga-face = maior OF na parte inferior e menor OF na esquerda | |||
| Orientaço menor comprimento plano | 8.0 mm ± 1 mm | 18.0 mm ± 1 mm | ||
| Bico de borda | embebido | |||
| TTV (excluso da borda de 5 mm) | < 15 um | < 30 um | ||
| Warp (excluso da borda de 5 mm) | < 20 um | < 80 um | ||
| Arco (excluindo borda de 5 mm) | -10 um a +5 um | -40 um a +20 um | ||
| Roughness frontal (Sa) | < 0,3 nm (AFM: área de 10 um x 10 um) | |||
| < 1,5 nm (área WLI: 239 um x 318 um) | ||||
| Finalizaço da superfície lateral traseira | polido (padro); gravado (facultativo) | |||
| Roughness lateral traseira (Sa) | polido: < 3 nm (WLI: área 239 um x 318 um) | |||
| Gravado: 1 um ± 0,5 um (WLI: 239 um x 318 um) | ||||
| Marcaço a laser | Lado de trás no piso maior | |||
| Propriedades elétricas | Doping | Resistividade | ||
| Lico de tipo N (5) | < 0,02 ohm-cm | |||
| UID | < 0,2 ohm-cm | |||
| Semi-isolaço (carbono) | > 1E8 ohm-cm | |||
| Sistema de classificaço dos poços | Densidade (poços/cm2) | 2 " (cavernas) | 4" (poços) | |
| Produço | < 0.5 | < 10 | < 40 | |
| Investigaço | < 1.5 | < 30 | < 120 | |
| Tonto. | < 2.5 | < 50 | < 200 | |
Sobre a nossa fábrica OEM
A nossa viso da empresa Factroy
forneceremos substrato de GaN de alta qualidade e tecnologia de
aplicaço para a indústria com a nossa fábrica.
O material GaN de alta qualidade é o fator de restriço para a
aplicaço de nitritos III, por exemplo, longa vida útil
e LDs de alta estabilidade, dispositivos de micro-ondas de alta
potência e alta confiabilidade,
e LEDs de alta eficiência e poupança de energia.
-FAQ
P: O que pode fornecer logística e custo?
(1) Aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) Se você tiver seu próprio número expresso, é ótimo.
Se no, podemos ajudá-lo a entregar.
P: Qual é o prazo de entrega?
(1) Para os produtos normalizados, tais como as bolinhas de 0,33 mm
de 2 polegadas.
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 a 4 semanas úteis
após a encomenda.
P: Como pagar?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pagamento seguro e
garantia comercial.
Q: Qual é o MOQ?
(1) Para o inventário, o MOQ é de 5pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e da técnica.
P: Tem relatório de inspecço do material?
Podemos fornecer relatórios ROHS e alcançar relatórios para os
nossos produtos.
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