8 tipo de silicone do carboneto da bolacha de Crystal Ingots carcaça da polegada 200mm N sic
Number modelo:4h-n
Lugar de origem:CHINA
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A bolacha polonesa lateral dobro 2-8” 4H N do carboneto de silicone - lubrificou sic o N-tipo sic bolachas dos lingotes de Wafers/8inch 200mm de Crystal Wafers Ingots sic substrate/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/das carcaças do único cristal de carboneto de silicone do dimetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic)
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
Descriço da bolacha de SIC
| especificaço condutora da bolacha de 4 polegadas sic | ||||
| Produto | 4H-SiC | |||
| Categoria | Categoria I | Categoria II | Categoria III | |
| áreas policristalinas | Nenhuns permitiram | Nenhuns permitiram | <5> | |
| áreas do polytype | Nenhuns permitiram | ≤20% | 20% ~ 50% | |
| Densidade de Micropipe) | < 5micropipes=""> | < 30micropipes=""> | <100micropipes> | |
| Área útil total | >95% | >80% | N/A | |
| Dimetro | 100,0 milímetros +0/-0.5 milímetros | |||
| Espessura | 500 μm do ± 25 do μm ou especificaço do cliente | |||
| Entorpecente | tipo de n: nitrogênio | |||
| Orientaço lisa preliminar) | Perpendicular <11-20> ao ± 5.0° | |||
| Comprimento liso preliminar | 32,5 milímetros de ± 2,0 milímetros | |||
| Orientaço lisa secundária) | 90° CW do ± liso preliminar 5.0° | |||
| Comprimento liso secundário) | 18,0 milímetros de ± 2,0 milímetros | |||
| Na orientaço da bolacha da linha central) | ± 0.25° {de 0001} | |||
| Fora da orientaço da bolacha da linha central | 4.0° para <11-20> o ± 0.5° ou a especificaço do cliente | |||
| TTV/BOW/Warp | < 5=""> | |||
| Resistividade | 0.01~0.03 Ω×cm | |||
| Revestimento de superfície | Polimento da cara de C. CMP da cara do si (cara do si: Rq < 0=""> | Polimento lateral dobro | ||
TAMANHO COMUM DO CATÁLOGO
4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic 2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 8 N-tipo da polegada 4H | 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 8 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
Sic aplicações
Áreas de aplicaço
1: Diodos de Schottky dos dispositivos eletrónicos da alta frequência e do poder superior, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2: Dispositivos Optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
FAQ:
Q: Que é a maneira de transporte e de custo?
: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
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: Depósito de T/T 100% antes da entrega.
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: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.
(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.
Q: Que é o prazo de entrega?
: (1) para os produtos padro
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.
Q: Você tem produtos padro?
: Nossos produtos padro no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.
8 tipo de silicone do carboneto da bolacha de Crystal Ingots carcaça da polegada 200mm N sic
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