Placa de Sapphire Wafer With Metallization Circuit
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
capacidade da fonte:50 unidades/mês
Prazo de entrega:em 30days
Detalhes de empacotamento:único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
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Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
2inch 4inch 4" safira baseou o filme de GaN dos moldes de GaN na carcaça da safira
Propriedades de GaN
Propriedades químicas de GaN
1) Na temperatura ambiente, GaN é insolúvel na água, no ácido e no alcaloide.
2)Dissolvido em uma soluço alcalina quente em uma taxa muito lenta.
3) O NaOH, H2SO4 e H3PO4 podem rapidamente corroer o de má qualidade de GaN, podem ser usados para estes detecço de má qualidade do defeito de cristal de GaN.
4) GaN no HCL ou no hidrogênio, na alta temperatura apresenta características instáveis.
5) GaN é o mais estável sob o nitrogênio.
Propriedades elétricas de GaN
1) As propriedades elétricas de GaN so a maioria de fatoras importantes que afetam o dispositivo.
2) O GaN sem a lubrificaço era n em todos os casos, e a concentraço do elétron da melhor amostra era sobre 4* (10^16) /c㎡.
3) Geralmente, as amostras preparadas de P so compensadas altamente.
Propriedades óticas de GaN
1) O material largo do semicondutor composto de diferença de faixa com largura de banda alta (2.3~6.2eV), pode cobrir o verde amarelo vermelho, azul, violeta e o espectro ultravioleta, é até agora que todos os outros materiais do semicondutor so incapazes de conseguir.
2) Usado principalmente no dispositivo luminescente azul e violeta.
Propriedades de GaN Material
1) A propriedade de alta frequência, chega em 300G hertz. (O si é 10G & o GaAs é 80G)
2) Propriedade de alta temperatura, trabalho em 300℃, muito apropriado normais para ambiente aeroespacial, militar e outro de alta temperatura.
3) A traço do elétron tem a velocidade alta da saturaço, a baixa constante dielétrica e a boa condutibilidade térmica.
4) A resistência do ácido e do alcaloide, resistência de corroso, pode ser usada no ambiente áspero.
5) Características de alta tenso, resistência de impacto, confiança alta.
6) O grande poder, o equipamento de comunicaço está muito ansioso.
Aplicaço de GaN
Uso principal de GaN:
1) diodos luminescentes, diodo emissor de luz
2) transistor de efeito de campo, FET
3) diodos láser, LD
Especificaço
Especificaçoaracteristic de C
A outra especificaço do relaterd 4INCH GaN Template
| Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artigo | Un-lubrificado | N-tipo | Alto-lubrificado N-tipo |
| Tamanho (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estrutura da carcaça | GaN na safira (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Padro: Opço de SSP: DSP) | ||
| Espessura (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Personalizado | ||
| Tipo da conduço | Un-lubrificado | N-tipo | N-tipo Alto-lubrificado |
| Resistividade (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity | ≤±10% (4") | ||
| Densidade de deslocaço (cm2) | ≤5×108 | ||
| Área de superfície útil | >90% | ||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100. | ||
| Estrutura de cristal | Wurtzite |
| Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo da faixa de conduço | Bandgap direto |
| Densidade (g/cm3) | 3,23 |
| Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
| Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
| Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
| Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
| Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elétrico da diviso (MV/cm) | 11,7 |
Placa de Sapphire Wafer With Metallization Circuit
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