Único arsenieto InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
Number modelo:Arsenieto do índio (InAs)
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3 PECAS
Termos do pagamento:T/T, Western Union
capacidade da fonte:500pcs
Prazo de entrega:2-4weeks
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
2 a 4 polegadas de antimônido de gálio GaSb Substrato
monocristalino de cristal único para semicondutores
Arseneto de ínio InAs Substrato monocristalino monocristalino
Substrato semicondutor
Substrato semicondutor de cristal único Arseneto de índio InAs
Aplicaço
Os substratos de semicondutores de cristal único de arsênio de ínio
(InAs) so materiais com propriedades únicas, amplamente utilizados
nos campos da eletrônica e da optoeletrônica.
1.Detectores infravermelhos de alto desempenho
Devido sua estreita distncia de banda, os substratos InAs so ideais para a fabricaço de detectores infravermelhos de alto desempenho, particularmente nas faixas infravermelhas de comprimento de onda médio e longo.Estes detectores so essenciais em aplicações como a viso noturna, imagens térmicas e monitorizaço ambiental.
2.Tecnologia Quantum Dot
O InAs é usado na fabricaço de pontos qunticos, que so críticos para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos avançados como lasers de pontos qunticos, sistemas de computaço quntica e células solares de alta eficiência.A sua mobilidade eletrônica superior e os efeitos de confinamento quntico tornam-no um candidato primário para dispositivos semicondutores de próxima geraço.
3.Eletrônicos de alta velocidade
Os substratos InAs oferecem uma excelente mobilidade dos elétrons, tornando-os adequados para a eletrónica de alta velocidade,Outros aparelhos e aparelhos de televiso, semelhantes aos aparelhos e aparelhos de televiso.
4.Dispositivos optoeletrônicos
O InAs é um material popular para fabricaço de dispositivos optoeletrônicos, como lasers e fotodetectores, devido sua distncia de banda direta e alta mobilidade eletrônica.Estes dispositivos so críticos para aplicações na comunicaço de fibra óptica, imagens médicas e espectroscopia.
5.Dispositivos termoelétricos
As propriedades termoelétricas superiores do InAs tornam-no um
candidato promissor para geradores e refrigeradores
termoelétricos,que so utilizados para converter gradientes de
temperatura em energia elétrica e para aplicações de refrigeraço em
eletrónica.
Em resumo, os substratos de InAs desempenham um papel crucial em
tecnologias avançadas, desde a detecço de infravermelho até
computaço quntica e eletrónica de alta velocidade.tornando-os
indispensáveis em aplicações modernas de semicondutores e
optoelectrónica.
InComo substrato
| Nome do produto | Cristal de arsenieto de ínio (InAs) |
| Especificações do produto | Método de crescimento: CZ Orientaço do cristal: < 100> Tipo de condutor: tipo N Tipo de dopagem: no dopado Concentraço do transportador: 2 ~ 5E16 / cm 3 |
| Pacote padro | 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou uma caixa única |
InAs especificaço do produto
Crescimento | LEC |
Dimetro | 2 1/2 polegadas |
Espessura | 500-625 um |
Orientaço | < 100> / < 111> / < 110> ou outros |
Fora da orientaço | Desvio de 2° para 10° |
Superfície | SSP/DSP |
Opções Flat | EJ ou SEMI. DST. |
TTV | <= 10 um |
EPD | <= 15000 cm2 |
Grau | Grau polido epi/grau mecnico |
Pacote | Pacote |
Especificações elétricas e de doping
Dopante disponível | S / Zn / No dopado |
Tipo de condutividade | N / P |
Concentraço | 1E17 - 5E18 cm-3 |
Mobilidade | 100 ~ 25000 cm2 / v.s. |
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb e outros materiais de heterojunço podem
ser cultivados em cristal único de InAs como substrato,e um
dispositivo emissor de luz infravermelha com um comprimento de onda
de 2 a 14 μm pode ser fabricadoO material de estrutura de superrede
AlGaSb também pode ser cultivado epitaxialmente usando um substrato
de cristal único InAs.Estes dispositivos infravermelhos têm boas
perspectivas de aplicaço nos domínios da monitorizaço de gasesAlém
disso, os cristais únicos de InAs têm alta mobilidade eletrônica e
so materiais ideais para a fabricaço de dispositivos Hall.
Características:
1O cristal é cultivado por tecnologia de desenho direto (LEC)
selada por líquido, com tecnologia madura e desempenho elétrico
estável.
2, utilizando o instrumento direcional de raios-X para orientaço
precisa, o desvio de orientaço do cristal é apenas ± 0,5°
3, a bolacha é polida pela tecnologia de polimento químico mecnico
(CMP), rugosidade da superfície < 0,5 nm
4, para atingir os requisitos de "caixa aberta pronta para
utilizaço"
5, de acordo com as exigências do utilizador, especificações
especiais de processamento do produto
| cristal | droga | Tipo | | Mobilidade ((cm2/V.s) | MPD ((cm-2) | Tamanho | |
| InAs | no-dopa | N | 5*1016 | 32*104 | < 5*104 | Φ2′′×0,5 mm | |
| InAs | - No. | N | (5-20) *1017 | > 2000 | < 5*104 | Φ2′′×0,5 mm | |
| InAs | Zn | P | (1-20) *1017 | 100 a 300 | < 5*104 | Φ2′′×0,5 mm | |
| InAs | S | N | (1-10) *1017 | > 2000 | < 5*104 | Φ2′′×0,5 mm | |
| Tamanho (mm) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado | ||||||
| ra | Resistência corroso (Ra): <= 5A | ||||||
| polonês | polidos de lado único ou duplo | ||||||
| Pacote | Saco de plástico de limpeza de 100 graus em 1000 salas de limpeza | ||||||
---FAQ
P: É uma empresa comercial ou fabricante?
A: a zmkj é uma empresa comercial mas tem um fabricante de safira
Como fornecedor de wafers de materiais semicondutores para uma
ampla gama de aplicações.
P: Quanto tempo é o seu prazo de entrega?
R: Geralmente so 5-10 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou so 15-20 dias se as mercadorias no estiverem em estoque.
Em estoque, depende da quantidade.
P: Você fornece amostras? É grátis ou extra?
R: Sim, poderíamos oferecer a amostra gratuitamente, mas no pagar o custo de frete.
Q: Quais so os seus termos de pagamento?
A: Pagamento <= 1000USD, 100% antecipadamente. Pagamento>=
1000USD,
50% T/T adiantado, saldo antes do envio.
Único arsenieto InAs Substrate de Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
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