O carboneto de silicone de 6 polegadas revestiu sic placas de Tray High Temperature Resistance Graphite da grafite
Number modelo:6 polegadas
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5-10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:1000PCS/Week
Prazo de entrega:1-3weeks
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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6 polegadas de carburo de silício SiC revestido Grafite bandeja alta temperatura resistência placas de grafite
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
Aplicaço | circuito integrado de semicondutores |
coeficiente de pureza < 5 ppm | |
Revestimento em nanoescala e boa uniformidade de dopagem | |
desempenho de vedaço bem e forte capacidade de ligaço de
revestimento de tinta | |
resistente corroso por ligaço de blocos de elementos de carbono | |
Serviço personalizado profissional | |
Tempo de execuço curto | |
Produtos de processo internacional e prazo de entrega estável | |
Serviços de melhoria rápida do desempenho dos produtos |
CATALOGO Tamanho comum
| Grau | Densidade a granel | Força flexural | Força de compresso | Resistividade específica
| Teor de cinzas |
| GSK-II | 10,72 g/cc min | 15Mpa min | 32 Mpa min | 8.0μΩ•m máximo | 00,3% no máximo |
| HPM-II | 10,78 g/cc min | 18Mpa min | 35Mpa min | 10 μΩ•m no máximo | 00,1% no máximo |
| HPM-III | 10,83 g/cc min | 35Mpa min | 68Mpa min | 10 μΩ•m no máximo | 00,1% no máximo |
| Se o seu material requerido no está dentro dos graus acima, por favor, entre em contato conosco sem hesitar,Nosso engenheiro profissional e experiente escolherá o grau mais adequado de acordo com sua aplicaço específica. | |||||
Sobre a empresa ZMKJ
A ZMKJ pode fornecer wafers de SiC de cristal único de alta
qualidade (Carburo de Silício) para a indústria eletrônica e
optoeletrônica.com propriedades elétricas únicas e excelentes
propriedades térmicas , em comparaço com a bolacha de silício e a
bolacha de GaAs, a bolacha de SiC é mais adequada para aplicações
de dispositivos de alta temperatura e alta potência. A bolacha de
SiC pode ser fornecida em dimetro de 2-6 polegadas, tanto 4H quanto
6H SiC,Tipo N, tipo dopado com nitrogénio e semi-isolaço
disponíveis.
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Perguntas frequentes
P: Qual é a forma de envio e custo?
A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) é bom se tiver a sua própria conta expressa, se no, podemos ajudá-lo a enviá-los e
O frete está de acordo com a liquidaço real.
P: Como pagar?
R: T/T 100% de depósito antes da entrega.
Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para estoque, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs é melhor.
(2) Para os produtos personalizados, o MOQ é de 10pcs.
P: Qual é o prazo de entrega?
A: (1) Para os produtos normalizados
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 a 4 semanas após a encomenda.
P: Tem produtos padro?
A: Os nossos produtos normais em estoque. como substratos 4 polegadas 0,35mm.
O carboneto de silicone de 6 polegadas revestiu sic placas de Tray High Temperature Resistance Graphite da grafite
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