2 polegadas 50.8mm Sapphire Substrate Wafer Double Side lustraram a linha central da linha central A de M Axis C

As especificações para bolachas da c-linha central 2inch

Tamanho: 2 polegadas DSP-100-R-axis

Material: Único cristal das KY Sapphire Al 2O3 sem bolha; cor;

Orientaço: C-corte, M-linha central fora de 0.0+/-0.2°;
Dimetro: 50,8 +/-0.2mm;

Espessura: 100 ± 15 um;
Do plano: 16,0 +/- 1,0 milímetros; OU forma redonda
Da orientaço: um-linha central
 Superfície: Epi-pronto de SSP /dsp lustrado;
Ra<> da aspereza de superfície da parte traseira do Ra de TTV <> Front Surface Roughness (Ra) (Ra) = 1,0 +/-0.2um;
Borda: de 1mm;

Os pedidos para carcaças da bolacha da safira

A safira é composta da alumina (A1203), que é composta de três átomos de oxigênio e de dois átomos de alumínio em um tipo bond covalent, e sua estrutura de cristal é uma estrutura de estrutura sextavada. É usada frequentemente em facetas do Um-plano, do C-plano, e do R-plano. Devido a sua faixa ótica larga da penetraço, safira tem a transmisso clara excelente do ultravioleta próximo (190nm) a meados de-infravermelho. Consequentemente, é amplamente utilizado em componentes óticos, dispositivos infravermelhos, materiais da lente do laser da alta intensidade, e materiais da máscara, tem as características da velocidade sadia alta, resistência de alta temperatura, resistência de corroso, dureza alta, transmitncia claro alto, ponto de derretimento alto (2045°C) e assim por diante. É um material um pouco difícil a processar, assim que é usado frequentemente como um material fotoelétrico do elemento. Presentemente, a qualidade do branco ultra-alto do brilho/diodo emissor de luz azul depende da qualidade material do nitreto epitaxial (GA), quando a qualidade do nitreto epitaxial for estreitamente relacionada qualidade de processamento de superfície da carcaça da safira se usou. A taxa constante da má combinaço da estrutura entre a superfície de C da safira (único A1203 de cristal) e os filmes de grupos de II-V e de II-VI é pequena. Ao mesmo tempo, cumpre a exigência da resistência de alta temperatura no processo epitaxial de GaN, fazendo bolacha da safira o material chave para fazer diodo emissor de luz branco/azul/verde.

O estoque da bolacha da safira