Tipo de InAs Wafer Crystal Substrates N para MBE 99,9999% Monocrystalline

Number modelo:Arsenieto do índio (InAs)
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:500pcs
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N-tipo de 2inch 3inch 4inch InAs Wafer Crystal Substrates para MBE 99,9999% Monocrystalline
 

Introduza da carcaça de InAs

O índio InAs ou o mono-arsenieto do índio so um semicondutor composto do índio e do arsênico. Tem a aparência de um cristal cúbico cinzento com um ponto de derretimento do arsenieto do índio 942°C. é usado para construir os detectores infravermelhos com uma escala de comprimento de onda de 1-3.8um. O detector é geralmente um fotodiodo fotovoltaico. Os detectores refrigerando criogênicos têm um mais baixo ruído, mas os detectores de InAs podem igualmente ser usados para aplicações de alta potência na temperatura ambiente. O arsenieto do índio é usado igualmente para fazer lasers do diodo. O arsenieto do índio é similar ao arsenieto de gálio e é um material direto da diferença de faixa. O arsenieto do índio é usado s vezes com fosforeto de índio. Liga com o arsenieto de gálio para formar o arsênico do índio - um material cuja a diferença de faixa dependa da relaço de In/Ga. Este método é principalmente similar ao nitreto de liga do índio com nitreto do gálio produzir o nitreto do índio. O arsenieto do índio é sabido para suas mobilidade de elétron alta e diferença de faixa estreita. É amplamente utilizado como uma fonte de radiaço do terahertz porque é um emissor luz-ambarino poderoso.

Características da bolacha de InAs:

* com mobilidade de elétron e relaço altas da mobilidade (μe/μh=70), é um material ideal para dispositivos de salo.

* o MBE pode ser crescido com materiais multi-epitaxial de GaAsSb, de InAsPSb, e de InAsSb.

* o método de selagem líquido (CZ), assegura-se de que a pureza do material possa alcançar 99,9999% (6N).

* todas as carcaças precisamente so lustradas e enchidas com uma atmosfera protetora para cumprir as exigências de Epi-pronto.

* seleço de cristal do sentido: Um outro sentido de cristal está disponível, por exemplo (110).

* as técnicas de medida óticas, tais como ellipsometry, asseguram uma superfície limpa em cada carcaça.
 

InAs Wafer Specifications
Fatias do dimetro2"3"
Orientaço(100) +/-0.1°(100) +/- 0.1°
Dimetro (milímetros)50,5 +/- 0,576,2 +/- 0,4
Opço lisaEJEJ
Tolerncia lisa+/- 0.1°+/- 0.1°
Major Flat Length (milímetros)16 +/- 222 +/- 2
Comprimento liso menor (milímetros)8 +/- 111 +/- 1
Espessura (um)500 +/- 25625 +/- 25
Especificações elétricas e do entorpecente
EntorpecenteTipo
Portador
Concentraço cm-3
Mobilidade
cm^2•V^-1•s^-1
Undopedn-tipo(1-3) *10^16>23000
Baixo enxofren-tipo(4-8) *10^1625000-15000
Enxofre alton-tipo(1-3) *10^1812000-7000
Baixo zincop-tipo(1-3) *10^17350-200
Zinco altop-tipo(1-3) *10^18250-100
E.P.D. cm^-22" <>3" <>
Especificações do nivelamento
Formulário da bolacha2"3"
Polonês/gravadoTTV (um)<12><15>
Curve (um)<12><15>
Entorte (um)<12><15>
Polonês/polonêsTTV (um)<12><15>
Curve (um)<12><15>
Entorte (um)<12><15>

---FAQ –

Q: So você uma empresa comercial ou o fabricante?

: o zmkj é uma empresa comercial mas tem um fabricante da safira
 como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: Geralmente é 5-10 dias se os bens esto no estoque. ou é 15-20 dias se os bens no so
no estoque, é de acordo com a quantidade.

Q: Você fornece amostras? so livre ou extra?

: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas no pagamos o custo do frete.

Q: Que é seus termos de pagamento?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expediço.
Se você tem uma outra pergunta, os pls sentem livres contactar-nos como abaixo:

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