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os filmes finos do nióbito do lítio da bolacha de 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 mergulham na carcaça de silicone
(1) Ion Implantation: A máquina da implantaço de íon é usada para conduzi-lo alta-tenso íons da superfície superior do cristal do nióbito do lítio. Quando íons com energia específica entra no cristal, estaro obstruídos por átomos e por elétrons no cristal de LN e para retardar e ficar gradualmente em uma posiço específica da profundidade, destruindo a estrutura de cristal perto desta posiço e rachando o cristal de LN em camadas superiores e mais baixas de A/B. E a zona A está indo ser o filme fino que nós precisamos de fazer LNOI.
(2) preparaço da carcaça: Para fazer bolachas do nióbito do lítio do filme fino, no é certamente possível deixar centenas de filmes finos do nanômetro LN em um estado suspendido. Os materiais de apoio sendo a base so exigidos. Em bolachas comuns de SOI, a carcaça é uma camada de bolachas de silicone com uma espessura de mais do que 500um, e a camada SiO2 dielétrica é preparada ento na superfície. Finalmente, o filme fino do silicone monocrystalline é ligado na superfície superior para formar bolachas de SOI. Quanto para s bolachas de LNOI, o si e LN so carcaças de uso geral, e a camada SiO2 dielétrica é preparada ento pelo processo térmico do oxigênio ou do depósito de PECVD. Se a superfície da camada dielétrica é desigual, o processo de moedura mecnico químico do CMP é necessário fazer a superfície superior lisa e lisa, que é conveniente para o processo de ligamento subsequente.
ligaço do filme (de 3): Usando um dispositivo da ligaço da bolacha, o cristal implantado íon de LN é invertido 180 graus e ligou-se carcaça. Para a produço nivelada da bolacha, as superfícies de ligamento de ambas as carcaças e LN so alisados, geralmente pela ligaço direta sem a necessidade para materiais intermediários da pasta. Para a pesquisa científica, BCB (benzocyclobutene) pode igualmente ser usado como o material da pasta da camada intermediária para conseguir para morrer para morrer ligaço. O modo de ligamento de BCB tem uma baixa exigência na lisura da superfície de ligamento, que é muito apropriada para experiências da pesquisa científica. Contudo, BCBS no têm a estabilidade a longo prazo, assim que a ligaço de BCB no é usada geralmente na produço da bolacha
(4) recozendo e descascando: Após as duas superfícies de cristal so ligados e o recozimento e o processo de descascamento expulsos, de alta temperatura so exigidos. Depois que a superfície dos dois cristais é cabida, mantém primeiramente alguma estadia em uma temperatura específica reforçar a força da ligaço da relaço, e faz a bolha injetada da camada do íon, de modo que os filmes de A e de B sejam separados gradualmente. Finalmente, o equipamento mecnico é usado para descascar distante os dois filmes, e para reduzir ento gradualmente a temperatura temperatura ambiente para terminar o processo inteiro do recozimento e de descascamento.
(5) aplainar do CMP: Após o recozimento, a superfície da bolacha de LNOI é áspera e desigual. Aplainar mais adicional do CMP é necessário fazer o filme no plano da superfície da bolacha e reduzir a aspereza de superfície.
Especificaço característica
300-900 filmes finos do nióbito do lítio do nanômetro (LNOI) | ||||
Camada funcional superior | ||||
Dimetro | 3, 4, (6) polegada | Orientaço | X, Z, Y etc. | |
Material | LiNbO3 | Espessura | 300-900 nanômetro | |
Lubrificado (opcional) | MgO | |||
Camada do isolamento | ||||
Material | SiO2 | Espessura | 1000-4000 nanômetro | |
Carcaça | ||||
Material | Si, LN, quartzo, silicone fundido etc. | |||
Espessura | 400-500 μm | |||
Camada opcional do elétrodo | ||||
Material | Pinta, Au, Cr | Espessura | 100-400 nanômetro | |
Estrutura | Acima ou sob da camada do isolamento SiO2 |
1, uma comunicaço de fibra ótica, tal como o modulador do medidor de ondas, etc. comparou com os produtos tradicionais, o volume de dispositivos produzidos usando este material do filme fino pode ser reduzido em mais de um milho de vezes, a integraço é melhorada extremamente, a largura de banda da resposta é larga, o consumo de potência é baixo, o desempenho é mais estável, e o custo de fabrico é reduzido.
2, dispositivos eletrónicos, tais como os filtros, as linha de atraso, etc. de alta qualidade.
3, armazenamento de informaço, e lata para realizar o armazenamento de informaço do alto densidade, uma capacidade de armazenamento da informaço do filme de 3 polegadas de de 70 t (CD 100000)