Polegada 4Inch N de VGF 2/tipo carcaça de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial
Number modelo:Carcaça do GaAs
Lugar de origem:NC
Quantidade de ordem mínima:3PCS
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Prazo de entrega:4-6weeks
Detalhes de empacotamento:único recipiente da bolacha sob o quarto desinfetado
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Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Tipo tipo carcaça da polegada 4Inch N de VGF 2 de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial
N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial
O arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade mais de 3 ordens de grandeza mais altos do que o silicone e o germnio, que so usados para fazer carcaças do circuito integrado, os detectores infravermelhos, os detectores do foto da gama, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5 a 6 vezes maior do que aquela do silicone, tem aplicações importantes na fabricaço de dispositivos da micro-ondas e de circuitos digitais de alta velocidade. O arsenieto de gálio feito do arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade de mais de 3 ordens de grandeza mais altamente do que o silicone e o germnio, que so usados para fazer carcaças do circuito integrado e os detectores infravermelhos.
1. Aplicaço do arsenieto de gálio na ótica eletrónica
2. Aplicaço do arsenieto de gálio na microeletrônica
3. Aplicaço do arsenieto de gálio em uma comunicaço
4. Aplicaço do arsenieto de gálio na micro-ondas
5. Aplicaço do arsenieto de gálio nas células solares
Especificaço das bolachas do GaAs
| Tipo/entorpecente | Semi-isolado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Aplicaço | Micro Eletronic | Diodo emissor de luz | Diodo láser | |
| Método do crescimento | VGF | |||
| Dimetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientaço | (100) ±0.5° | |||
| Espessura (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | E.U. EJ ou entalhe | |||
| Concentraço de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Resistividade (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Mobilidade (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Densidade do passo gravura em gua forte (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| Urdidura (µm) | <10> | |||
| De superfície terminado | P/P, P/E, E/E | |||
Nota: Outras especificações podem estar disponíveis mediante
solicitaço
O arsenieto de gálio é o material o mais importante e o mais amplamente utilizado do semicondutor em semicondutores compostos, e é igualmente o material o mais maduro e o maior do semicondutor composto na produço presentemente.
Os dispositivos do arsenieto de gálio que foram usados so:
- Diodo da micro-ondas, diodo de Gunn, diodo de varactor, etc.
- Transistor da micro-ondas: transistor de efeito de campo (FET), transistor de mobilidade de elétron alto (HEMT), transistor bipolar da heterojunço (HBT), etc.
- Circuito integrado: circuito integrado monolítico da micro-ondas (MMIC), circuito integrado ultra-alto da velocidade (VHSIC), etc.
- Componentes de Salo, etc.
- Diodo luminescente infravermelho (diodo emissor de luz do IR); Diodo luminescente visível (diodo emissor de luz, usado como a carcaça);
- Diodo láser (LD);
- Detector claro;
- Célula solar de grande eficacia;
Polegada 4Inch N de VGF 2/tipo carcaça de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial
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