Óxido térmico de SiO2 de grande espessura em wafers de silício para sistemas de comunicação óptica

SapphiÓxido térmico de grande espessura (SiO2) em wafers de silício para sistemas de comunicação óptica

Em geral, a espessura da camada de óxido das wafers de silício concentra-se principalmente abaixo de 3um,e os países e regiões que podem produzir de forma estável de alta qualidade espessa camada de óxido (acima de 3um) wafers de silício ainda são dominados pelos Estados UnidosEste projeto tem por objectivo avançar na eficiência de formação de películas,Limite de espessura da película e qualidade de formação de película da película de óxido (SiO) no processo de crescimento da camada de óxido em curso, e produzir um máximo de 25um ((+5%) ultra espessa camada de óxido de wafer de silício com alta qualidade e alta eficiência em um tempo relativamente curto.índice de refração de 1550 nm 1.4458+0.0001Contribuir para a localização do 5G e da comunicação óptica.

As razõesUm dia, a comunicação óptica substituirá a comunicação com fio e microondas e se tornará o principal fluxo de comunicação

1. Os dispositivos de comunicação óptica são a base da construção de sistemas e redes de comunicação óptica
2. O dispositivo passivo óptico é uma parte importante do equipamento de comunicação de fibra óptica e também é um componente indispensável de outras aplicações de fibra óptica.
3. O dispositivo óptico passivo realiza as funções de conexão, atenuação de energia, shunt ou shunt de isolamento reverso, modulação de sinal e filtragem no caminho óptico, respectivamente
4. Entre eles, o Splitter, o Star coupler, o Optical switch, o multiplexador de divisão de comprimento de onda (WDM), o array waveguide grating (AWG), etc.são todos dispositivos ópticos passivos baseados em soluções de tecnologia de guia de ondas óptica plana.
5. Para guias de ondas ópticos, sílica (Sio), com boas propriedades ópticas, eletro-mecânicas e estabilidade térmica,É considerada a abordagem técnica mais prática e promissora para a integração óptica passiva.

Aplicação de óxido térmico (SiO2) em wafers de silício

• No contexto do rápido desenvolvimento da 5G e da comunicação óptica, bem como das crescentes necessidades das pessoas em matéria de transmissão e intercâmbio de informações,A busca pela alta velocidade e pelo baixo atraso é interminável.
• Como excelente transportador de trajectória óptica, o dióxido de silício (SiO2) também apresentou requisitos mais elevados e mais exigentes para a sua espessura e pureza,e camada de óxido de silício é um material indispensável para apoiar dispositivos ópticos de comunicação óptica.
• Os países e regiões que podem produzir camada de óxido espessa (acima de 3um) com alta qualidade e estabilidade são ainda principalmente os Estados Unidos, Japão, Coreia do Sul e Taiwan, China.

Método de produção

As bolinhas de silício formam camadas de sílica através de tubos de forno na presença de agentes oxidantes a temperaturas elevadas, um processo conhecido como oxidação térmica.O intervalo de temperatura é controlado de 900 a 1, 250°C; a relação do gás oxidante H2:O2 é entre 1.51 e 3:1De acordo com o tamanho da bolacha de silício, haverá diferentes perdas de fluxo sem espessura de oxidação.O substrato é de silício monocristalino com uma espessura de 0.1 a 25 μm.

Especificação padrão

Detalhes dos produtos

Os outros produtos que temos

Wafer de safira Wafer PSS